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龙图腾网获悉美新半导体(无锡)有限公司申请的专利一种红外热电堆传感装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113310583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110705145.1，技术领域涉及：G01J5/12；该发明授权一种红外热电堆传感装置是由刘尧;凌方舟;蒋乐跃;姜萍设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红外热电堆传感装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种红外热电堆传感装置，其包括基于衬底形成的热电堆传感器，所述热电堆传感器包括：悬空薄膜，其悬置于所述衬底的空腔之上；多个热电偶，其设置于所述悬空薄膜中，所述热电偶的热端悬置于所述衬底的空腔之上，且所述热电偶的热端位于所述悬空薄膜的内侧；所述热电偶的冷端悬置于所述衬底的空腔之上，且所述热电偶的冷端位于所述悬空薄膜的外边缘；高热导率填充区，其设置于所述悬空薄膜的外侧，其紧邻所述热电偶的冷端，且跨过所述衬底的空腔的边界，并且延伸至所述衬底上。与现有技术相比，本发明不仅可以与标准CMOS工艺兼容，而且还可以使红外热电堆的热学参数不敏感工艺偏差，提高器件性能一致性。

本发明授权一种红外热电堆传感装置在权利要求书中公布了：1.一种红外热电堆传感装置，其特征在于，其包括基于衬底形成的热电堆传感器，所述热电堆传感器包括： 悬空薄膜，其悬置于所述衬底的空腔之上； 多个热电偶，其设置于所述悬空薄膜中，所述热电偶的热端悬置于所述衬底的空腔之上，且所述热电偶的热端位于所述悬空薄膜的内侧；所述热电偶的冷端悬置于所述衬底的空腔之上，且所述热电偶的冷端位于所述悬空薄膜的外边缘； 高热导率填充区，其设置于所述悬空薄膜的外侧，所述高热导率填充区与所述热电偶的冷端的距离介于0.2到5um之间，且所述高热导率填充区跨过所述衬底的空腔的边界，并且延伸至所述衬底上， 所述悬空薄膜包括依次层叠的多晶硅层、第一金属层和第二金属层， 所述热电偶由多晶硅层、第一金属层和或第二金属层构成， 所述高热导率填充区由导热高的材料堆叠而成，所述高热导率填充区由多晶硅层、第一金属层和或第二金属层构成， 其中，所述高热导率填充区的第一金属层与所述悬空薄膜的第一金属层是相同的一层金属图形化而成的不同部分，所述高热导率填充区的第二金属层与所述悬空薄膜的第二金属层是相同的另一层金属图形化而成的不同部分，所述高热导率填充区的多晶硅层与所述悬空薄膜的多晶硅层是相同的一层多晶硅图形化而成的不同部分， 所述多晶硅层和所述衬底之间还设置有介质层； 所述多晶硅层和所述第二金属层之间也设置有介质层； 所述第一金属层和第二金属层之间也设置有介质层。

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