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龙图腾网获悉聚积科技股份有限公司申请的专利混光发光二极管装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300449B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111073074.4，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权混光发光二极管装置是由梁世贤;曾伟铭设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本混光发光二极管装置在说明书摘要公布了：一种混光发光二极管装置，包括第一、二、三水平导通式晶粒及第一、二型电极。各晶粒包括配置有第一型半导体的第一表面、相反于第一表面且配置有第二型半导体的第二表面及介于第一、二表面间的P‑N接面。第一晶粒间隔置有贯穿第一、二表面与P‑N接面的第一贯孔及两个贯穿第二型半导体的第二贯孔。第二、三晶粒的第一表面面向第一晶粒的第一表面设于第一晶粒上方。第一型电极电性隔绝地置于第一贯孔以同时上下连接各晶粒的第一型半导体。第二型电极置于各第二贯孔与第一晶粒的第二表面以上下电连接各晶粒的第二型半导体。借所述第一型电极及所述第二型电极，使第二、三晶粒垂直配置且电连接于第一晶粒上方，以节省平面面积。

本发明授权混光发光二极管装置在权利要求书中公布了：1.一种混光发光二极管装置，其特征在于：包含： 第一水平导通式晶粒，包括配置有第一型半导体的第一表面、相反于该第一表面且配置有第二型半导体的第二表面、介于第一表面与第二表面间的P-N接面，及彼此间隔配置的第一贯孔与两个第二贯孔，该第一贯孔是纵向贯穿该第一型半导体的第一表面、该P-N接面与该第二型半导体的第二表面，所述第二贯孔是纵向贯穿该第二型半导体； 第二水平导通式晶粒，包括配置有第一型半导体的第一表面，及相反于该第一表面且配置有第二型半导体的第二表面，该第二水平导通式晶粒是间隔地设置于该第一水平导通式晶粒的上方，且该第二水平导通式晶粒的第一型半导体的第一表面是面向该第一水平导通式晶粒的第一型半导体的第一表面设置； 第三水平导通式晶粒，包括配置有第一型半导体的第一表面，及相反于该第一表面且配置有第二型半导体的第二表面，该第三水平导通式晶粒是间隔地设置于该第一水平导通式晶粒的上方，且该第三水平导通式晶粒的第一型半导体的第一表面是面向该第一水平导通式晶粒的第一型半导体的第一表面设置；及 电极单元，包括第一型电极与三个第二型电极，该第一型电极是电性隔绝地配置于该第一水平导通式晶粒的第一贯孔中，以同时上下连接该第二水平导通式晶粒的第一型半导体与该第一水平导通式晶粒的第一型半导体及该第三水平导通式晶粒的第一型半导体与该第一水平导通式晶粒的第一型半导体，该三个第二型电极中的其中两者是分别对应配置于该第一水平导通式晶粒的各第二贯孔中，以分别上下电连接该第二水平导通式晶粒的第二型半导体与该第一水平导通式晶粒的第二型半导体及该第三水平导通式晶粒的第二型半导体与该第一水平导通式晶粒的第二型半导体，且该三个第二型电极中的剩余一者是配置于该第一水平导通式晶粒的第二型半导体的第二表面并介于该第一型电极与该其中两者第二型电极间。

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