长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111190824.6，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由刘志拯设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底以及位于衬底内的导电通孔、第一导电类型晶体管及第二导电类型晶体管；其中，第一导电类型晶体管沿第一方向设置于导电通孔的两侧；第二导电类型晶体管沿第二方向设置于导电通孔的另外两侧；第一方向与第二方向垂直；第一金属层，位于衬底上，第一金属层包括至少一条沿第一方向延伸的第一金属线，第一金属线与第一导电类型晶体管的栅极电连接；第二金属层，位于第一金属层上，第二金属层包括至少一条沿第二方向延伸的第二金属线，第二金属线与第二导电类型晶体管的栅极电连接；其中，第一金属线和第二金属线相互交叉构成覆盖导电通孔的网格结构。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底以及位于所述衬底内的导电通孔、第一导电类型晶体管及第二导电类型晶体管；其中，所述第一导电类型晶体管沿第一方向设置于所述导电通孔的两侧；所述第二导电类型晶体管沿第二方向设置于所述导电通孔的另外两侧；所述第一方向与所述第二方向垂直； 第一金属层，位于所述衬底上，所述第一金属层包括至少一条沿第一方向延伸的第一金属线，所述第一金属线与所述第一导电类型晶体管的栅极电连接； 第二金属层，位于所述第一金属层上，所述第二金属层包括至少一条沿第二方向延伸的第二金属线，所述第二金属线与所述第二导电类型晶体管的栅极电连接； 其中，所述第一金属线和所述第二金属线相互交叉构成覆盖所述导电通孔的网格结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号