广东省科学院半导体研究所张康获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省科学院半导体研究所申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111261789.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由张康;何晨光;陈志涛;吴华龙;刘云洲设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先基于一衬底制备铝氮化合物缓冲层，然后对衬底与铝氮化合物缓冲层进行退火，以在衬底的一侧形成铝氮化合物薄膜，其中，铝氮化合物薄膜包括多个第一基岛，且相邻两个第一基岛之间间隔设置并露出部分衬底，再利用预设生长条件基于所述第一基岛生长第二基岛，并最终形成外延层。本申请提供的半导体结构及其制作方法具有提升了外延晶体质量、抑制衬底附近GaN界面漏电的效果。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，所述方法包括： 基于一衬底制备铝氮化合物缓冲层；其中，所述铝氮化合物缓冲层为通过溅射工艺形成的AlN缓冲层； 在退火温度为800℃～1100℃、反应室腔体压力为50～1000mbar以及通氨气保护的条件下退火时间0～1000s，以在所述衬底的一侧形成厚度为8～17nm的铝氮化合物薄膜，其中，所述铝氮化合物薄膜包括多个第一基岛，且相邻两个第一基岛之间间隔设置并露出部分衬底； 在通氨气、反应室腔体压力为400～800mbar、温度为900℃～980℃以及ⅤⅢ族元素比为200～2000的条件下，沿所述衬底与所述铝氮化合物缓冲层的一侧制作外延层； 变换三维生长条件，并在通氨气、反应室腔体压力为300～500mbar、温度为950℃～1020℃以及ⅤⅢ族元素比为1000-3000的条件下继续制作外延层； 利用预设的二维生长条件沿所述衬底与所述铝氮化合物缓冲层的一侧制作剩余部分外延层。
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