中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杜杳隽获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116068839B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111271152.1，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由杜杳隽;王兰芳设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：获取第一版图层，包括多个第一设计图形，任意两个第一设计图形之间的距离为第一间距，至少一个第一间距小于可光刻最小间距；进行版图层拆分处理，将第一版图层拆分为多个子版图层，将第一设计图形分别设置于其中一个子版图层上，子版图层叠加后的图形布局与第一版图层的图形布局相同，在子版图层中，任意两个第一设计图形之间的距离为第二间距，第二间距大于第一间距，且至少一个第二间距小于可光刻最小间距；改变子版图层中的第一设计图形的图形布局，使每个子版图层中，任意两个第一设计图形之间的距离均大于或等于可光刻最小间距。本发明节约了工艺成本。
本发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 获取第一版图层，所述第一版图层包括多个第一设计图形，任意两个所述第一设计图形之间的距离为第一间距，至少一个所述第一间距小于可光刻最小间距； 进行版图层拆分处理，将所述第一版图层拆分为多个子版图层，将各个所述第一设计图形分别设置于其中一个子版图层上，所述多个子版图层叠加后的图形布局与所述第一版图层中的图形布局相同，在所述子版图层中，任意两个所述第一设计图形之间的距离为第二间距，所述第二间距大于所述第一间距，且至少一个所述第二间距小于可光刻最小间距； 改变所述子版图层中的第一设计图形的图形布局，使每个所述子版图层中，任意两个第一设计图形之间的距离均大于或等于所述可光刻最小间距。
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