复旦大学王天宇获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种多端平面型神经形态忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111270370.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种多端平面型神经形态忆阻器及其制备方法是由王天宇;孟佳琳;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多端平面型神经形态忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种多端平面型忆阻器及其制备方法。该多端平面型忆阻器包括：衬底；功能层，其为二维材料，形成在所述衬底上；多个金属电极，彼此无接触，呈发射状分布在所述功能层表面，其中一个电极作为后端电极，其余电极作为前端电极，用连续的电学脉冲时序向多个所述前端电极进行输入，对所述后端电极电导状态进行采集，实现多元的神经形态协同计算功能。
本发明授权一种多端平面型神经形态忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多端平面型忆阻器，其特征在于， 包括： 衬底； 功能层，其为二维材料，形成在所述衬底上； 多个金属电极，彼此无接触，呈发射状分布在所述功能层表面，其中一个电极作为后端电极，其余电极作为前端电极， 借助金属电极的金属离子的电化学迁移效应，用连续的电学脉冲时序向多个所述前端电极进行输入，对所述后端电极电导状态进行采集，实现多元的神经形态协同计算功能， 其中，向所述多个前端电极施加正向电压，所述后端电极做接地处理，使所述前端电极部分氧化产生金属离子，并在正向电压的刺激下向后端电极移动， 当可移动的金属离子到达后端电极时，会在后端电极还原为金属原子并不断向正极积累，当金属原子在前端电极和后端电极间连接时，形成多条导电通道，从而使得后端电极采集到的电导呈现非线性增强的变化， 这一过程模拟生物体系中的多元神经突触的活动，由多个突触前端对同一个突触后端进行调节，使得突触权重得以非线性更迭，完成多元的神经形态计算。
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