北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所王勇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种芯片叠层气密性陶瓷封装的散热结构及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114141729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111327930.4,技术领域涉及:H01L23/367;该发明授权一种芯片叠层气密性陶瓷封装的散热结构及方法是由王勇;李洪剑;井立鹏;陈宪荣;陈洁;陈建安设计研发完成,并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片叠层气密性陶瓷封装的散热结构及方法在说明书摘要公布了:一种芯片叠层气密性陶瓷封装的散热结构,包括封装整体结构、T型盖板、导热胶层;T型盖板包括凸台区、焊接区,其中T型盖板通过焊接区与封装整体结构连接,凸台区的位置与封装整体结构内的芯片相对应,在凸台区和芯片之间涂导热胶层;其中导热胶层为树脂类粘接胶,导热性能优于2WmK;凸台区的尺寸略小于芯片的尺寸,凸台区和芯片之间的间隙为20μm~100μm;凸台区的表面粗糙度小于20μm;凸台厚度不小于0.5mm,凸台区的倒角半径不小于0.2mm。采用本发明的散热方法,能够为芯片叠层结构额外提供一个散热通道,且散热通道为金属盖板,盖板外侧为外部环境,与仅依靠底层芯片向陶瓷外壳的散热结构相比,具有较强的散热能力。
本发明授权一种芯片叠层气密性陶瓷封装的散热结构及方法在权利要求书中公布了:1.一种芯片叠层气密性陶瓷封装的散热结构,其特征在于,包括封装整体结构、T型盖板、导热胶层; T型盖板包括凸台区、焊接区,其中T型盖板通过焊接区与封装整体结构连接,凸台区的位置与封装整体结构内的芯片相对应,在凸台区和芯片之间涂导热胶层; 其中导热胶层为树脂类粘接胶,导热性能优于2WmK;凸台区的尺寸小于芯片的尺寸,凸台区和芯片之间的间隙为20μm~100μm;凸台区的表面粗糙度小于20μm;凸台厚度不小于0.5mm,凸台区的倒角半径不小于0.2mm; 凸台区的倒角包括凸台内倒角、凸台外倒角,凸台区远离芯片的根部边缘为凸台内倒角,凸台区的端部边缘为凸台外倒角。
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