长江存储科技有限责任公司孔翠翠获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111352637.3，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器及其制作方法是由孔翠翠;张中;周文犀设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了三维存储器及其制作方法，三维存储器，包括：衬底；堆叠结构，堆叠结构包括第一存储区、阶梯区和第二存储区；阶梯区，包括：子阶梯区；隔墙结构；第一顶部选择阶梯结构，第一顶部选择阶梯结构包括沿第一横向分布的第一主台阶结构与第一副台阶结构，第一主台阶结构和第一副台阶结构在纵向上具有相对应层数和高度的第一栅极层；第一连接结构，第一连接结构连接第一主台阶结构和第一副台阶结构中相对应层数和高度的第一栅极层。通过第一连接结构连接第一主台阶结构和第一副台阶结构中的第一栅极层，能有效地减少第一连接结构的连线的长度，从而减少连线的电阻值，与此同时，简化了后续的工艺难度和提高器件的可靠性。
本发明授权三维存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括： 衬底； 堆叠结构，所述堆叠结构位于所述衬底的纵向上，所述堆叠结构包括沿第一横向依次分布的第一存储区、阶梯区和第二存储区； 所述堆叠结构包括沿第二横向分布的子阶梯区和隔墙区； 所述阶梯区，包括： 子阶梯区； 隔墙结构，所述隔墙结构靠近所述子阶梯区且沿所述第一横向分布，向所述第一存储区和所述第二存储区延伸； 第一顶部选择阶梯结构，所述第一顶部选择阶梯结构靠近所述第一存储区，所述第一顶部选择阶梯结构包括沿所述第一横向分布的第一主台阶结构与第一副台阶结构，所述第一主台阶结构和所述第一副台阶结构在所述纵向上具有相对应层数和高度的第一栅极层； 第一连接结构，所述第一连接结构连接所述第一主台阶结构和所述第一副台阶结构中相对应层数和高度的所述第一栅极层。
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