长江存储科技有限责任公司潘震获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111396168.5，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由潘震;伍术设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括第一衬底和位于第一衬底一侧的布线层，第一衬底中形成有至少贯穿部分第一衬底的隔离结构，隔离结构沿平行第一衬底表面的方向延伸，隔离结构通常具有较差的机械强度，布线层包括多个加固垫，多个加固垫间隔设置，可以设置加固垫在第一衬底表面的投影和隔离结构所在位置相交，即可以在隔离结构正上方设置多个加固垫，加固垫可以增强隔离结构所在区域的机械强度，从而增强半导体器件的整体机械强度。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一衬底；所述第一衬底中形成有至少贯穿部分所述第一衬底的隔离结构，所述隔离结构沿平行所述第一衬底表面的方向延伸； 位于所述第一衬底一侧的布线层，所述布线层包括多个加固垫，所述多个加固垫间隔设置；所述加固垫在所述第一衬底表面上的投影和所述隔离结构所在位置相交； 还包括： 位于所述第一衬底一侧的功能层，所述功能层中设置有功能单元； 所述布线层还包括互连结构，所述互连结构与所述功能单元连接；所述互连结构包括连接线和或焊盘。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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