国家纳米科学中心孙向南获国家专利权
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龙图腾网获悉国家纳米科学中心申请的专利有机热电子晶体管及其制备方法、LUMO能级检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242892B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111444083.X，技术领域涉及：H10K10/43；该发明授权有机热电子晶体管及其制备方法、LUMO能级检测方法是由孙向南;孟珂;周学华设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本有机热电子晶体管及其制备方法、LUMO能级检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及有机电子学领域，具体涉及一种有机热电子晶体管及其制备方法、LUMO能级检测方法。本发明所述的有机热电子晶体管包括发射极、基极及收集极；其中在所述发射极与基极之间设有绝缘层，在所述基极与收集极之间设有有机半导体层。本发明通过对现有热电子晶体管的结构改进，首次实现热电子晶体管在有机半导体材料的LUMO能级的检测技术中应用。同时本发明还提供了利用该热电子晶体管获取热电子能谱的方法，以及提出了从热电子能谱中原位、精确地提取有机半导体材料的LUMO能级的方法。本发明不仅弥补了本领域研究的空白，而且为有机电子器件中电荷输运行为的研究提供了指导。
本发明授权有机热电子晶体管及其制备方法、LUMO能级检测方法在权利要求书中公布了：1.一种有机热电子晶体管，包括发射极、基极及收集极；其特征在于，在所述发射极与基极之间设置绝缘层，在所述基极与收集极之间设置有机半导体层；所述发射极、绝缘层、基极、有机半导体层与收集极的厚度比例为11-13：1.5-2：10-20：100-200：12-20；所述发射极的厚度范围在11-13nm之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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