中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))施宜军获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111631846.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法是由施宜军;陈义强;贺致远;王宏跃;徐新兵;路国光;黄云设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法。本发明的二极管结构包括：栅极结构；阳极，位于栅极结构的一侧，与栅极结构具有间距；阴极，位于栅极结构远离阳极的一侧，与栅极结构具有间距；电容，电容的第一极板与阳极相连接，电容的第二极板与栅极结构相连接。在瞬态ESD期间，高电压变化率可诱导产生电容耦合电流，电容耦合电流将携带一定数量的正跃迁电荷到栅极结构，正跃迁电荷将存储在栅极结构并拉下栅极结构中的能带，并迫使电子聚集在栅极结构下，当正跃迁电荷产生的栅极电势达到一定值时，大电流可以通过栅极结构，使ESD引起的累积静电电荷被有效地释放，可以避免ESD对栅极结构的破坏，从而增强结构的ESD鲁棒性。
本发明授权二极管结构及其制备方法、半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二极管结构，其特征在于，所述二极管结构包括： 栅极结构； 阳极，位于所述栅极结构的一侧，与所述栅极结构具有间距； 阴极，位于所述栅极结构远离所述阳极的一侧，与所述栅极结构具有间距； 电容，所述电容的第一极板与所述阳极相连接，所述电容的第二极板与所述栅极结构相连接； 所述二极管结构还包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的表面； 势垒层，位于所述外延层远离所述衬底的表面；所述栅极结构、所述阳极、所述阴极及所述电容均位于所述势垒层远离所述外延层的表面； 第一钝化层，位于所述势垒层远离所述外延层的表面，位于所述阳极与所述阴极之间，且位于所述栅极结构外围； 第二钝化层，位于所述第一钝化层远离所述势垒层的表面。
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