广东思泉新材料股份有限公司吴攀获国家专利权
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龙图腾网获悉广东思泉新材料股份有限公司申请的专利一种石墨导热片及其制备、及半导体散热装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114334860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111628718.1,技术领域涉及:H01L23/367;该发明授权一种石墨导热片及其制备、及半导体散热装置是由吴攀;任泽明;王号;计俞伟;廖骁飞;徐丹设计研发完成,并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种石墨导热片及其制备、及半导体散热装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种石墨导热片及其制备方法、及半导体散热装置。所述制备方法包括如下步骤:1对石墨片材进行阵列打孔,得到具有阵列孔排布的石墨片材;2对步骤1得到的具有阵列孔排布的石墨片材进行等离子体处理后,使用含乙烯基的硅烷偶联剂对其进行化学接枝,得到表面包覆有偶联剂层的石墨片材;3通过化学气相沉积法在步骤2得到的表面包覆偶联剂层的石墨片材的外表面包覆高分子层,得到所述石墨导热片。本发明提供的石墨导热片具有较好的散热效果、较好的均热性和较好的结构稳定性,适合电子产品内半导体芯片的导热散热。
本发明授权一种石墨导热片及其制备、及半导体散热装置在权利要求书中公布了:1.一种石墨导热片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤: (1)对石墨片材进行阵列打孔,得到具有阵列孔排布的石墨片材; (2)对步骤(1)得到的具有阵列孔排布的石墨片材进行等离子体处理后,使用含乙烯基的硅烷偶联剂对其进行化学接枝,得到表面包覆有偶联剂层的石墨片材; (3)通过化学气相沉积法在步骤(2)得到的表面包覆偶联剂层的石墨片材的外表面包覆高分子层,得到所述石墨导热片; 以所述石墨片材的体积为100%计,孔的总体积为0.01~10%; 所述高分子层由二聚体制备得到; 所述二聚体选自对二甲苯二聚体、二氯对二甲苯二聚体、四氯对二甲苯二聚体、四氟对二甲苯二聚体或八氟对二甲苯二聚体中的任意一种或至少两种的组合; 所述高分子层的厚度为1~3μm。
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