深圳市卓兴半导体科技有限公司曾逸获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市卓兴半导体科技有限公司申请的专利一种高度测量方法、装置及固晶装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111629768.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种高度测量方法、装置及固晶装置是由曾逸;邓应铖设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高度测量方法、装置及固晶装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高度测量方法、装置及固晶装置，该高度测量方法包括如下步骤：测量图像测量装置距离固晶平台的初始高度时的光斑宽度L；把固晶平台上升H的高度，这个高度为固晶工作时的高度，通过图像测量装置测量固晶平台上两个光斑之间的初始距离L1；光斑距离测量步骤：任意时刻，通过图像测量装置测量基板上左光斑和右光斑之间的距离L2；高度偏差计算步骤：任意时刻，基板高度相对于固晶平台的高度偏差为Δh，Δh=H*|（L1‑L2）（L‑L1）|。本发明的有益效果是：本发明通过二束交叉光源打在基板上形成两个点光斑，用图像测量装置测量两个光斑的距离，形成了一个与该距离对应的基准高度；通过比较和测量不同的光斑距离，可计算获得对应不同的基板高度或对应平整度。
本发明授权一种高度测量方法、装置及固晶装置在权利要求书中公布了：1.一种高度测量方法，其特征在于，包括如下步骤： 初始高度测量步骤：测量图像测量装置1距离固晶平台7的初始高度时的光斑宽度L； 移动固晶平台7的高度H，此时高度为固晶平台7的工作高度，左光源3和右光源2发出光，在固晶平台7上形成两个光斑，通过图像测量装置1测量固晶平台7上两个光斑之间的初始距离L1； 光斑距离测量步骤：左光源3和右光源2发出光，在基板4上形成左光斑5和右光斑6，任意时刻，通过图像测量装置1测量基板4上左光斑5和右光斑6之间的距离L2； 高度偏差计算步骤：任意时刻，基板4高度相对于固晶平台7的高度偏差为Δh，Δh＝H*|L1-L2L-L1|； 所述左光源3和所述右光源2发出激光或者红光； 所述图像测量装置1包括相机和计算模块。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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