华虹半导体(无锡)有限公司王进峰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210006252.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储器结构及其形成方法是由王进峰;张剑;熊伟;陈华伦设计研发完成，并于2022-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器结构及其形成方法，其中存储器结构包括：衬底；位于所述衬底上的两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷；位于每个所述浮栅结构上的控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口；位于所述第一开口和所述第二开口内的字线结构。由于所述第二浮栅部相对于所述第一浮栅部是错位堆叠，使得后续形成的字线结构在包覆所述浮栅结构的侧壁时，会与所述第二浮栅部之间形成三个擦除位点，以提升存储器结构的擦除性能。
本发明授权存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括存储单元区； 位于所述存储单元区上的两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷； 位于每个所述浮栅结构上的控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一开口； 位于所述第一开口和所述第二开口内的字线结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号