上海华虹宏力半导体制造有限公司裴梓任获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种射频开关及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210058557.5，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种射频开关及其制备方法是由裴梓任;蒙飞设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频开关及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种射频开关及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有若干深沟槽；外延层，覆盖所述深沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底；沟槽隔离结构，位于所述深沟槽内并至少遮盖所述深沟槽的开口，以使所述深沟槽内形成第一空气隙；栅极结构，位于所述外延层上，且位于相邻的所述深沟槽之间。由于所述第一空气隙的介电常数很低，所述第一空气隙及所述沟槽隔离结构对所述衬底与所述外延层起到了很好的隔离效果，避免当所述射频开关处于关断状态时仍有信号在所述衬底上传输的情况发生，使所述射频开关具有更好的隔离度，提升所述射频开关的性能。
本发明授权一种射频开关及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频开关，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内具有若干深沟槽； 外延层，覆盖所述深沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底； 沟槽隔离结构，位于所述深沟槽内并至少遮盖所述深沟槽的开口，以使所述深沟槽内形成第一空气隙； 栅极结构，位于所述外延层上，每个所述栅极结构均位于相邻的两个所述深沟槽之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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