合肥图迅电子科技有限公司李林林获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥图迅电子科技有限公司申请的专利一种CMOS芯片表面缺陷检测方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114565558B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210054556.3,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权一种CMOS芯片表面缺陷检测方法及系统是由李林林;黄东超;李晓燕设计研发完成,并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CMOS芯片表面缺陷检测方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种CMOS芯片表面缺陷检测方法及系统,其中检测方法包括以下步骤:对待测产品图像数据中的影像区进行划分,形成多个检测区块;根据灰度值对每个所述检测区块分别进行二值化处理;根据二值化处理的结果提取每个所述检测区块中的缺陷;对所述缺陷进行像素和或尺寸分析,进一步提取有效缺陷。通过本发明的方法可在CMOS芯片贴膜前准确、快速且稳定地检出产品表面上的脏污缺陷,对于图像整体的灰度一致性、均匀性要求降低,方便硬件光源一致性的安装调试,保证产品中局部区域灰度的一致性,且可兼容不同产品因材料、加工差异引起的整体灰度变化,对灰度对比差异较小的缺陷和细微的缺陷检测精度更高。
本发明授权一种CMOS芯片表面缺陷检测方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种CMOS芯片表面缺陷检测方法,其特征在于,所述检测方法包括以下步骤: 对待测产品图像数据中的影像区进行划分,形成多个检测区块; 根据灰度值对每个所述检测区块分别进行二值化处理; 根据二值化处理的结果提取每个所述检测区块中的缺陷; 对所述缺陷进行像素和或尺寸分析,进一步提取有效缺陷; 选定所述待测产品图像数据的非影像区的固定灰度值; 根据相较于所述固定灰度值对每个所述非影像区进行二值化处理; 根据二值化处理的结果提取所述非影像区的缺陷; 对所述缺陷进行像素和或尺寸分析,进一步提取有效缺陷,包括: 获取所述缺陷轮廓的外接矩形和面积; 判断所述外接矩形和所述缺陷轮廓的像素是否符合有效缺陷,若符合,则判断所述外接矩形和所述面积的尺寸大小是否符合不良品的卡控标准,在靠近所述卡控标准一定数值内的所述缺陷进行二次分析,具体为:获取所述缺陷的灰度最高值、灰度最低值以及灰度均值;计算最高灰度值和最低灰度值的差值,记为第一差值,缺陷灰度均值与当前缺陷所在区块的灰度中值的差值,记为第二差值;若第一差值大于其对应的第一固定值,且第二差值也大于其对应的第二固定值,则需要进行精准的二次分析,在需要进行二次分析时,使用缺陷灰度均值+缺陷灰度均值-当前缺陷所在区块的灰度中值*Value,Value表示占比,为0或10%,重新提取原始图像的缺陷,以重新计算缺陷尺寸。
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