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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114421915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210108874.3，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置是由韩兴;周建;李军涛;邹雅丽设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置在说明书摘要公布了：一种体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置，其中体声波谐振装置包括：包括空腔的第一层；第一电极层；压电层，位于第一电极层上，覆盖空腔，包括第一侧及相对的第二侧，第一电极层位于第一侧；第二电极层，位于第二侧，位于压电层上，第二电极层上的与第一电极层的重合部位于空腔上方，对应空腔；第一复合结构，位于第一侧，接触压电层，与第一电极层水平方向上相邻，第一复合结构靠近第一电极层的第一端位于空腔内，远离第一电极层的第一端水平方向上相对的第二端嵌入第一层，包括第一边缘延伸层及第一支撑层，第一支撑层位于压电层与第一边缘延伸层之间，用于降低边缘容抗，提升机电耦合系数及阻隔漏波，提高Q值。

本发明授权体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置在权利要求书中公布了：1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括： 第一层，所述第一层包括空腔； 第一电极层，所述第一电极层位于所述空腔内； 压电层，位于所述第一电极层上，覆盖所述空腔，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧垂直方向上相对的第二侧，所述第一电极层位于所述第一侧； 第二电极层，位于所述第二侧，位于所述压电层上，所述第二电极层上的与所述第一电极层的重合部位于所述空腔上方，对应所述空腔；以及 第一复合结构，位于所述第一侧，接触所述压电层，所述第一复合结构包围所述第一电极层，所述第一复合结构包括：第一边缘部，位于所述空腔内，所述第一边缘部连接所述第一电极层且包围所述第一电极层，所述第一边缘部与所述第二电极层具有重合部；第一延伸部，连接所述第一边缘部，所述第一延伸部靠近所述第一电极层的第一端位于所述空腔内，所述第一延伸部远离所述第一电极层的与所述第一端水平方向上相对的第二端嵌入所述第一层；第三延伸部，位于所述空腔内，连接所述第一边缘部；所述第一延伸部与所述第三延伸部位于所述第一电极层水平方向上相对的两端； 其中，所述第一延伸部包括第一边缘延伸层及第一支撑层，所述第一边缘延伸层及所述第一支撑层和所述第二电极层具有第一重合部，所述第一支撑层位于所述压电层与所述第一边缘延伸层之间，用于降低边缘容抗；所述第三延伸部包括第三边缘延伸层及第三支撑层，所述第三边缘延伸层及所述第三支撑层和所述第二电极层具有第三重合部，所述第三重合部匹配所述第一重合部，所述第三支撑层位于所述压电层与所述第三边缘延伸层之间。

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