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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210137823.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法是由张文燕;李刚;潘树林;武杰;胡清富设计研发完成，并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法，涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域。其中，外延结构的制备方法包括：提供衬底，分别生长缓冲层、u‑GaN层、第一n‑GaN层、n‑AlGaN层、第二n‑GaN层、InGaNGaN层、量子阱层、第一p‑GaN层、p‑AlGaN层、第二p‑GaN层，即得到高抗水解性能蓝绿光LED外延片。实施本发明，可提升外延晶体质量及外延层致密性，提升抗水解性能。

本发明授权高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）提供衬底，在其一面上生长缓冲层； （2）在所述缓冲层上生长u-GaN层；u-GaN层的生长速率为5~8μmh，厚度为1~3μm； （3）在所述u-GaN层上生长掺杂浓度为7.5×1018~8.5×1018cm-3的第一n-GaN层；第一n-GaN层的生长速率为3~6μmh，厚度为0.5~2μm； （4）在所述第一n-GaN层上生长厚度为10~100nm的n-AlGaN层； （5）在所述n-AlGaN层上生长掺杂浓度为1×1019~3×1019cm-3的第二n-GaN层；第二n-GaN层的生长速率为3~5μmh，厚度为1.5~2μm； （6）在所述第二n-GaN层上生长多个周期数的InGaNGaN层； （7）在所述InGaNGaN层上生长量子阱层； （8）在所述量子阱层上生长掺杂浓度为5×1019~1.5×1020cm-3的第一p-GaN层； （9）在所述第一p-GaN层上生长p-AlGaN层； （10）在所述p-AlGaN层上生长掺杂浓度为1×1018~1×1020cm-3的第二p-GaN层，即得到高抗水解性能蓝绿光LED外延片。

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