上海华力集成电路制造有限公司雷海波获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利金属栅的支撑槽制造方法及金属栅结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210170180.2，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权金属栅的支撑槽制造方法及金属栅结构是由雷海波;夏禹;董颖;何志斌设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属栅的支撑槽制造方法及金属栅结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属栅的支撑槽制造方法，提供衬底，衬底上形成有第一、第二器件区，第一器件区形成有多个第一栅极，第二器件区上形成有至少一个尺寸大于第一栅极的第二栅极；刻蚀第二栅极形成至少一个支撑槽；在衬底形成覆盖第一栅极和第二栅极的第一掩膜层；在衬底形成覆盖第一掩膜层的第二掩膜层，使得支撑槽被第二掩膜层填充；刻蚀第二掩膜层，使得填充在支撑槽中以外的第二掩膜层去除；刻蚀第一掩膜层，使得第一栅极和第二栅极的上表面裸露。本发明通过在大面积栅中增加额外的支撑槽，使得金属栅抗研磨能力增加，从而保证高压器件在金属栅制程下能正常工作。
本发明授权金属栅的支撑槽制造方法及金属栅结构在权利要求书中公布了：1.一种具有支撑槽的金属栅的制造方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有第一器件区和第二器件区，所述第一器件区形成有多个第一栅极，所述第二器件区上形成有至少一个尺寸大于所述第一栅极的第二栅极； 步骤二、刻蚀所述第二栅极形成支撑槽，其中所述支撑槽的宽度小于相邻两个所述第一栅极间的最小间距； 步骤三、形成覆盖所述第一栅极和所述第二栅极的第一掩膜层，其中所述第一掩膜层的材料为SiCN； 步骤四、形成覆盖所述第一掩膜层的第二掩膜层，使得所述支撑槽被所述第二掩膜层填充，其中所述第二掩膜层的材料为二氧化硅； 步骤五、刻蚀所述第二掩膜层，使得填充在所述支撑槽中以外的所述第二掩膜层去除； 步骤六、刻蚀所述第一掩膜层，使得所述第一栅极和所述第二栅极的上表面裸露； 步骤七、形成覆盖所述第一、第二栅极、所述第一、第二掩膜层的层间介质层，之后研磨所述层间介质层使得所述第一、第二栅极裸露。
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