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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利利用可见光信号的氮化镓光电子集成式浊度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114965374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210513882.6，技术领域涉及：G01N21/51；该发明授权利用可见光信号的氮化镓光电子集成式浊度传感器及其制备方法是由李欣;韩明宇;李芸;陶玥;宋少寒;竺欣晨;王永进设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用可见光信号的氮化镓光电子集成式浊度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了半导体领域内的一种利用可见光信号的氮化镓光电子集成式浊度传感器，包括设置在液体容器内壁上的光电子芯片，所述光电子芯片包括硅衬底层、氮化物外延层，所述氮化物外延层上设置有作为可见光信号光源的微型LED器件及接收可见光信号的光电探测器，所述氮化物外延层设置有连接微型LED器件和光电探测器的正电极、负电极，所述硅衬底层部分与电路板结合，所述氮化物外延层外部设有封装层，本发明集成度高，可以使用低成本小体积的集成式系统有效且准确地监测待测液体的浊度等物理参数。

本发明授权利用可见光信号的氮化镓光电子集成式浊度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种利用可见光信号的氮化镓光电子集成式浊度传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤（1）利用PECVD技术在硅衬底氮化物晶圆的上表面蒸镀一层作为硬质掩模的二氧化硅； 步骤（2）利用光刻技术在硬质掩模表面旋涂的光刻胶定义作为可见光信号光源的微型LED器件和接收可见光信号的光电探测器的图形结构，利用反应离子刻蚀技术将光刻胶层上的图形转移至硬质掩模层； 步骤（3）利用三五族材料感应耦合等离子体刻蚀技术，以二氧化硅硬质掩模上的图形结构为依据，刻蚀掉P型GaN层和多量子阱结构，暴露出n型GaN； 步骤（4）在硅衬底氮化物晶圆的顶层氮化物上表面旋涂光刻胶，进行光学光刻，定义隔离槽的图形结构，并采用三五族材料感应耦合等离子体刻蚀技术，刻蚀穿透全部氮化物外延层至硅衬底上表面，实现各个微型LED器件和光电探测器之间的电学隔离； 步骤（5）在硅衬底氮化物晶圆的顶层氮化物上表面进行光刻定义微型LED器件和光电探测器的正负电极的图形结构，并采用电子束蒸镀技术沉积镍金复合金属层； 步骤（6）使用有机试剂丙酮在超声清洗环境中对蒸镀在光刻胶表面的镍金复合金属层进行剥离，获得微型LED器件和光电探测器的正负电极； 步骤（7）在硅衬底氮化物晶圆下表面即硅衬底面与电路板进行粘结键合，使之成为一个整体，并将微型LED器件和光电探测器的正负电极于电路板上的电极进行引线连接； 步骤（8）将上述整体与PDMS材料进行防水封装，制成用于浊度传感器的氮化镓光电子集成芯片； 步骤（9）将上述氮化镓光电子集成芯片进行封装； 步骤（10）制备液体容器，并在液体容器的内壁上电镀铬金属制备高反射率镜面； 步骤（11）将封装后的氮化镓光电子集成芯片安装在液体容器内壁上，制得所述氮化镓光电子集成式浊度传感器。

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