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龙图腾网获悉南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210590382.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法是由王苏杰;杨祺;潘彬;王向武设计研发完成，并于2022-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法，包括以下具体步骤：生长LED外延材料；SiO2掩膜与GaP腐蚀；GaP窗口层表面处理；ITO薄膜沉积；P电极制备；N电极制备；切割，得到所需芯片。本发明制备方法通过使用氩气等离子体轰击处理减薄后的GaP材料表面，可有效降低该表面薄层的P型掺杂浓度，同时将表层刻蚀为粗糙界面，增大该位置的接触电阻，提高电流的横向扩展能力，提升出光效率。

本发明授权一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤： S1、生长LED外延材料：在GaAs衬底上向上依次生长GaAs缓冲层、N型限制层、N面空间层、多量子阱有源层、P面空间层、P型限制层、P型过渡层、GaP窗口层； S2、SiO2掩膜与GaP腐蚀：在所述GaP窗口层的GaP表面沉积SiO2作为掩膜，然后通过光刻图形化，用腐蚀溶液腐蚀与预设的P电极正下方对应位置的SiO2和GaP； S3、GaP窗口层表面处理：将晶圆放入ICP刻蚀机中，对预设的P电极正下方对应位置的GaP材料进行氩气等离子体轰击处理，将GaP表面薄层的磷元素轰击出来，产生大量的五族元素空位，降低P型掺杂浓度，之后用去离子水冲洗后再用腐蚀溶液浸泡去除表面SiO2；所述ICP的工作压力为0.5Pa～1Pa，上电极功率为280W～320W，下电极功率为100W～120W，氩气流量为100sccm～1000sccm，刻蚀时间为8min～10min；去离子水冲洗10min，然后使用氢氟酸：去离子水体积比为1:10的腐蚀溶液浸泡清洗表面去除SiO2，时间为10min，然后用去离子水冲洗10min，用甩干机甩干； S4、ITO薄膜沉积：利用PECVD技术，在S3处理好的GaP窗口层表面沉积ITO薄膜； S5、P电极制备：利用光刻图形化技术在ITO薄膜表面涂覆负性光刻胶、烘烤、曝光、显影后，将晶圆片放入电子束蒸发设备中，蒸镀P电极； S6、N电极制备：利用研磨、抛光技术对GaAs衬底减薄后，将晶圆片放入电子束蒸发设备中，蒸镀N电极； S7、切割：利用砂轮或激光沿所制备的晶圆片四周进行切割、分离，得到所需芯片。

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