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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利氮化物发光二极管的外延片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210720046.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权氮化物发光二极管的外延片及制备方法是由闫其昂;王国斌设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化物发光二极管的外延片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化物发光二极管外延片的制备方法，包括：S1、在衬底上生长n型GaN层；S2、在n型GaN层上生长氮化物超晶格层；S3、在氮化物超晶格层上生长GaN后垒层；S4、在GaN后垒层上生长氮化物量子阱发光层，包括周期性循环生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，包括；S41、在GaN后垒层上生长InGaN量子阱层；包括：S411、在GaN后垒层生长第一InGaN量子阱层；S412、在第一InGaN量子阱层生长第二InGaN量子阱层；S413、中断InGaN量子阱层生长；S414、多次重复步骤S412和S413；S42、在InGaN量子阱层上生长GaN量子垒层；S43、多次重复步骤S41和S42，得到氮化物量子阱发光层；S5、在氮化物量子阱发光层上生长p型氮化物层。本发明提高了外延片波长均匀性和发光效率，并呈现较佳的ESD和漏电特性。

本发明授权氮化物发光二极管的外延片及制备方法在权利要求书中公布了：1.氮化物发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底上生长n型GaN层； S2、在所述n型GaN层上生长氮化物超晶格层； S3、在所述氮化物超晶格层上生长GaN后垒层，步骤包括： S31、在所述氮化物超晶格层上生长第一n型氮化物后垒层； S32、在所述第一n型氮化物后垒层生长第二氮化物后垒层；步骤包括： S321、在所述第一n型氮化物后垒层生长第一n型氮化物后垒子层； S322、在所述第一n型氮化物后垒子层上生长第二非掺杂氮化物后垒中间层； S323、在所述第二非掺杂氮化物后垒中间层上生长第二p型氮化物后垒子层； S324、多次重复步骤S321-S323； S33、在所述第二氮化物后垒层上生长第三非掺杂氮化物后垒层； S4、在所述GaN后垒层上生长氮化物量子阱发光层，包括周期性循环生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，包括； S41、在所述GaN后垒层上生长InGaN量子阱层；其中，所述InGaN量子阱层包括第一InGaN量子阱层和第二InGaN量子阱层；步骤包括： S411、在所述GaN后垒层生长第一InGaN量子阱层； S412、在所述第一InGaN量子阱层上生长第二InGaN量子阱子层； S413、中断第二InGaN量子阱层生长； S414、多次重复步骤S412和S413，形成第二InGaN量子阱层； S42、在所述InGaN量子阱层上生长GaN量子垒层； S43、多次重复步骤S41和S42，得到氮化物量子阱发光层； S5、在所述氮化物量子阱发光层上生长p型氮化物层。

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