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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种GaN基HFETs器件及其栅下应变调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210778328.0，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种GaN基HFETs器件及其栅下应变调控方法是由刘艳;陈思敏;程知群;王涛设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基HFETs器件及其栅下应变调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基HFETs器件，包括由下往上依次叠加的SiC衬底、AlN成核层、GaN沟道层，所述GaN沟道层上方呈对称结构设置有源极和漏极，所述源极和漏极之间设有AlN插层、势垒层和栅极，所述势垒层的上方中部设有栅下介质，所述栅极固定在栅下介质的上表面，所述栅下介质包括若干栅下介质块多层复合而成，任意相邻的两块所述栅下介质块的介电常数均不相同，所述栅下介质的两侧过原子层沉积形成有Al2O3钝化层。采用上述技术方案，通过在栅极下方设置多种不同介电常数的栅下介质，从而进一步调节GaN基HFETs器件电学特性，新方向的调节方式，结合现有的调控方法，能够有效改善GaN基HFETs器件的输运特性，使得GaN基HFETs器件能够在大功率及电力电子等领域中的应用。

本发明授权一种GaN基HFETs器件及其栅下应变调控方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基HFETs器件，包括由下往上依次叠加的SiC衬底（1）、AlN成核层（2）、GaN沟道层（3），所述GaN沟道层（3）上方呈对称结构设置有源极（7）和漏极（9），所述源极（7）和漏极（9）之间设有AlN插层（5）、势垒层（6）和栅极（8），其特征在于，所述势垒层（6）的上方中部设有栅下介质，所述栅极（8）固定在栅下介质的上表面，所述栅下介质包括若干栅下介质块（11）多层复合而成，任意相邻的两块所述栅下介质块的介电常数均不相同，所述栅下介质的两侧通过原子层沉积形成有Al2O3钝化层（10），所述栅下介质包括5块栅下介质块（11），5块所述栅下介质块（11）从近源极（7）侧至近漏极（9）侧依次为SiO2Al2O3HfO2Al2O3AlN，所述GaN沟道层（3）与AlN插层（5）界面处且在GaN沟道层（3）这一侧有二维电子气（4）。

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