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龙图腾网获悉深圳市金誉半导体股份有限公司申请的专利一种高压启动器件及电源管理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188758B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210839264.0，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种高压启动器件及电源管理系统是由顾岚雁;林河北;解维虎;胡慧雄;阳小冬设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压启动器件及电源管理系统在说明书摘要公布了：本发明公开了高压启动器件包括可控启动电阻、控制器电路和电容，可控启动电阻包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的N阱、形成在N阱上的场氧化层、形成在场氧化层上的阻挡层、形成在阻挡层上的耐压层、形成在耐压层上的多晶硅层、位于场氧化层、耐压层和多晶硅层上并与阻挡层连接的介质层、间隔形成在介质层上并贯穿介质层延伸至多晶硅层上的高压电极和低压电极、形成在介质层上并位于高压电极和低压电极之间的栅极，电容连接在可控启动电阻和控制器电路之间，用于给连接控制器电路的控制器芯片供电，当栅极接入电压处于浮空状态直至可控启动电阻导通，电容开始充电，充电电压超过启动电压时正常工作。提升启动电路的性能，降低了待机损耗。

本发明授权一种高压启动器件及电源管理系统在权利要求书中公布了：1.一种高压启动器件，其特征在于，包括可控启动电阻、控制器电路和电容； 所述可控启动电阻包括半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的N阱、形成在所述N阱上的场氧化层、形成在所述场氧化层上的阻挡层、形成在所述阻挡层上的耐压层、形成在所述耐压层上的多晶硅层、位于所述场氧化层、所述耐压层和所述多晶硅层上并与所述阻挡层连接的介质层、间隔形成在所述介质层上并贯穿所述介质层延伸至所述多晶硅层上的高压电极和低压电极、形成在所述介质层上并位于所述高压电极和低压电极之间的栅极，其中，所述高压电极用于连接高压输入信号，所述低压电极连接低压端的电容，所述N阱为圆形，所述耐压层为半径小于所述N阱的同心圆，所述耐压层上的多晶硅层从中心圆形出发呈螺旋形分布，所述可控启动电阻的高压电极位于同心圆的中心，所述低压电极位于所述同心圆的边缘，所述栅极靠近所述低压电极一侧的距离小于所述栅极与所述高压电极的距离的1%；所述多晶硅层的掺杂杂质为N型的磷元素，注入能量在30~100Kev，方块电阻为100K~10Mohmsquare； 所述控制器电路包括与所述可控启动电阻连接的第一功率管、与所述第一功率管连接的第二功率管，所述第一功率管、第二功率管和所述可控启动电阻共用相同的半导体衬底，所述第一功率管为低压NMOS，所述第二功率管为低压PMOS； 所述电容连接在所述可控启动电阻和所述控制器电路之间，用于给连接在所述控制器电路的控制器芯片供电； 其中，当所述栅极接入电压处于浮空状态直至所述可控启动电阻导通，所述电容开始充电，电容充电的电压超过所述控制器芯片的启动电压时，所述控制器芯片正常工作。

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