上海华力集成电路制造有限公司孙晓雁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利确定SRAF曝光时的光强阈值的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115951562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210894669.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权确定SRAF曝光时的光强阈值的方法是由孙晓雁;汪悦;张月雨设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本确定SRAF曝光时的光强阈值的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种确定SRAF曝光时的光强阈值的方法，方法包括：于测试版图中选出添加有SRAF的目标图形；设定光刻机曝光时的能量‑焦距矩阵，对测试版图掩膜版进行曝光以得到曝光图形矩阵；判断曝光图形矩阵中是否存在曝光所述SRAF的第一曝光图形，若判断结果为是，获取第一曝光图形所对应的能量，并通过光学量测获取所述能量下目标图形的特征尺寸随焦距的变化曲线；根据目标图形的特征尺寸与预设目标尺寸之间的偏差值以得到曝光出所述SRAF的第二曝光图形，并根据第二曝光图形的曝光参数得到SRAF曝光的光强阈值。通过本发明解决了以现有的人为判断的方法所造成的判断误差较多的问题。
本发明授权确定SRAF曝光时的光强阈值的方法在权利要求书中公布了：1.一种确定SRAF曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，所述方法包括： 于测试版图中选出添加有SRAF的目标图形，且所述SRAF在进行曝光时能够曝光于晶圆上； 设定光刻机曝光时的能量-焦距矩阵，对所述测试版图掩膜版进行曝光以得到曝光图形矩阵； 判断所述曝光图形矩阵中是否存在曝光所述SRAF的第一曝光图形，若判断结果为是，获取所述第一曝光图形所对应的能量，并通过光学量测获取所述能量下所述目标图形的特征尺寸随焦距的变化曲线； 根据所述目标图形的所述特征尺寸与预设目标尺寸之间的偏差值以得到曝光出所述SRAF的第二曝光图形，并根据所述第二曝光图形的曝光参数得到所述SRAF曝光的光强阈值。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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