上海华力集成电路制造有限公司刘建忠获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善光刻图形与掩模版上图形的偏差的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115616852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210889932.0，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权改善光刻图形与掩模版上图形的偏差的方法是由刘建忠;于世瑞设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善光刻图形与掩模版上图形的偏差的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善光刻图形与掩模版上图形的偏差的方法，包括以下步骤：步骤S1,建立PWOPC模型，收集曝光辅助图形主要参数的安全范围，并利用模型及OPC结果检查程序，将得到的工艺波动带宽值用作工艺窗口大小的评判标准；步骤S2,选出测试图形结构；步骤S3,分析结果与上下层overlay关系；步骤S4，对所述图形结构进行re‑target处理；步骤S5，改版版图线宽和周期，达到量产要求的工艺窗口。本技术发明对19NandCG控制栅层re‑target目标重置处理，有效提高weakpoint工艺窗口，而光刻版图仍然满足设计规则。
本发明授权改善光刻图形与掩模版上图形的偏差的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善光刻图形与掩模版上图形的偏差的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1,建立PWOPC模型，收集曝光辅助图形主要参数的安全范围，并利用模型及OPC结果检查程序，将得到的工艺波动带宽值用作工艺窗口大小的评判标准； 步骤S2,选出测试图形结构；所述测试图形结构为多种分辨率增强技术处理下工艺窗口仍然无法达到工艺要求的图形结构； 步骤S3,分析结果与上下层overlay关系； 步骤S4，对所述图形结构进行re-target处理； 步骤S5，改版版图线宽和周期，增加了部分区域的线宽和周期，对其进行OPC处理，达到量产要求的工艺窗口。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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