上海华力微电子有限公司徐灵芝获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种存储器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210963627.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种存储器的制造方法是由徐灵芝;王平设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器的制造方法，属于半导体技术领域，该存储器的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成沟槽和具有字线层的堆叠结构；形成第二介电材料层于所述沟槽中及所述堆叠结构上，所述第二介电材料层将各个所述堆叠结构掩埋在内，并将相邻所述堆叠结构间的沟槽封闭为空气隙；对所述第二介电材料层的至少部分厚度注入用于降低介电常数K的离子；进行退火处理，以使得部分或全部的所述第二介电材料层转化为第三介电材料层。在形成空气隙之后，通过向第二介电材料层的预定深度注入碳离子和或氟离子，以降低空气隙周围的介电常数，从而降低引入空气隙和缩减字线结构之间的距离所带来的复合寄生电容。
本发明授权一种存储器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底上形成通过若干条沟槽间隔开的堆叠结构，所述堆叠结构包括字线层，相邻的所述堆叠结构的字线层通过所述沟槽间隔开； 形成第二介电材料层于所述沟槽中及所述堆叠结构上，所述第二介电材料层将各个所述堆叠结构掩埋在内，并将相邻所述堆叠结构间的沟槽封闭为空气隙； 对所述第二介电材料层的至少部分厚度注入用于降低介电常数K的离子； 进行退火处理，使注入的所述离子至少在所述第二介电材料层引起晶格重组，以使得部分或全部的所述第二介电材料层转化为第三介电材料层，且所述第三介电材料层的介电常数低于所述第二介电材料层。
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