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龙图腾网获悉成都功成半导体有限公司申请的专利一种实现CASCODE模式的GaN HEMT功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211616624.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种实现CASCODE模式的GaN HEMT功率器件是由王中健;曹远迎设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种实现CASCODE模式的GaN HEMT功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种实现CASCODE模式的GaNHEMT功率器件，属于半导体技术领域，器件包括从下至上依次连接的第三衬底、第二中间层、缓冲层、GaN层和AlGaN层；AlGaN层上设置有源极、漏极和栅极，其中，源极、漏极均延伸连接至所述GaN层中；GaN层中设置有空腔，所述空腔的下端延伸至缓冲层中，空腔的上端位于源极和漏极的沟道下方，所述AlGaN层上连接有一个增强型硅MOSFET器件，其中，所述增强型硅MOSFET器件的源极和栅极做整个器件的源极和栅极，GaNHEMT功率器件作为整个器件的漏极。本发明通过在GaN层形成空腔，一方面减少了沟道下方GaN层的厚度，减少了漏电通道，减少漏电，另一方面，使得AlGaNGaN界面二维电子气密度增加，提高器件性能，整体器件通过简单工艺即可实现CASCODE结构。

本发明授权一种实现CASCODE模式的GaN HEMT功率器件在权利要求书中公布了：1.一种实现CASCODE模式的GaNHEMT功率器件，其特征在于，包括从下至上依次连接的第三衬底1、第二中间层2、缓冲层3、GaN层4和AlGaN层5；所述AlGaN层5上设置有源极、漏极和栅极，其中，所述源极、漏极均延伸连接至所述GaN层4中；所述GaN层4中设置有空腔6，所述空腔6的下端延伸至所述缓冲层3中，所述空腔6的上端位于源极和漏极的沟道下方； 所述GaNHEMT功率器件的制备方法包括以下步骤： S1、在第一衬底8上依次外延缓冲层3、GaN层4和AlGaN层5； S2、在所述AlGaN层5上旋涂或沉积第一中间层9，并在所述第一中间层9上键合第二衬底10； S3、研磨加选择性刻蚀去掉所述第一衬底8漏出所述缓冲层3，在所述缓冲层3上旋涂光刻胶并开窗口； S4、依次刻蚀所述缓冲层3、GaN层4形成刻蚀槽，其中，刻蚀槽延伸至所述GaN层4内部后停止刻蚀并去除所述光刻胶； S5、在所述缓冲层3上键合旋涂或沉积有第二中间层2的第三衬底1，并让所述第二中间层2盖住所述刻蚀槽，形成空腔6； S6、去掉所述第一中间层9和第二衬底10，并在所述AlGaN层5上制造源极、漏极和栅极，得到GaNHEMT功率器件； 所述AlGaN层5上连接有一个增强型硅MOSFET器件，其中，所述增强型硅MOSFET器件的源极和栅极做整个器件的源极和栅极，GaNHEMT功率器件作为整个器件的漏极。

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