重庆翰博显示科技研发中心有限公司姚琪获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆翰博显示科技研发中心有限公司申请的专利一种复合掩膜版的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115961314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211030975.X，技术领域涉及：C25D1/10；该发明授权一种复合掩膜版的制备方法是由姚琪;赵伍;吴界煌;莊孟儒;蒋畅;蔡姬妹设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合掩膜版的制备方法在说明书摘要公布了：一种复合掩膜版的制备方法，包括如下步骤：S1：在掩膜版上设置有光刻图；S2：通过光刻图去除部分光阻；S3：电铸掩膜版，在掩膜版上均匀涂布高分子膜层；S4：将高分子膜层固化成型；S5：对固化后的高分子膜层进行脉冲钻孔，开出带锥角的类圆锥台孔洞，该孔洞的进口比出口孔径大，锥角范围控制在30°‑120°；S6：用清洗液去掉剩下的光阻；S7：对激光开孔残留进行清洗，将掩膜版烘干后，完成制备。本发明通过在电铸掩膜版上增加一层与金属贴合的高分子低热膨胀系数材料，有效的减弱电铸掩膜版的热膨胀，通过飞秒激光的作用开出带有一定taper角的通孔，解决了电铸追求厚度的同时，难以有效控制taper角的难点。
本发明授权一种复合掩膜版的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合掩膜版的制备方法，其特征在于： 包括如下步骤： S1：在掩膜版上设置有光刻图； S2：通过光刻图去除部分光阻； S3：电铸掩膜版，在掩膜版上均匀涂布高分子膜层； S4：将高分子膜层固化成型； S5：对固化后的高分子膜层进行脉冲钻孔，开出带锥角的类圆锥台孔洞，该孔洞的进口比出口孔径大，锥角范围控制在30°-120°，通过采用Yb:KGW飞秒激光器的飞秒激光脉冲进行钻孔；所述Yb:KGW飞秒激光器采用的参数为，中心波长1024nm，平均功率6W，脉冲持续时间190fs，脉冲重复频Yb:KGW飞秒激光器率200KHz，脉冲最大能量1mJ，通过变换脉冲振幅1um-100um调节taper角； S6：用清洗液去掉剩下的光阻； S7：对激光开孔残留进行清洗，将掩膜版烘干后，完成制备。
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