买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中电科技德清华莹电子有限公司申请的专利一种负性高分子膜的圆环形图案曝光开孔方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116300321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211109351.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种负性高分子膜的圆环形图案曝光开孔方法是由葛法熙;姚书其;施旭霞;邱云峰;褚顺杰;候康旭;姚怡鑫;丰王健;李忠宇设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种负性高分子膜的圆环形图案曝光开孔方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种晶圆级封装中的负性高分子膜圆环形图案曝光开孔方法，包括以下过程：在制备好的晶圆上贴第一层负性高分子膜，电极开孔处设计一定半径的圆形图案曝光显影，烘烤固化，测量第一层膜开孔半径，按一定方法设计同心圆环状光罩图案；在上述晶圆上贴第二层负性高分子膜，基于设计好的光罩图案，使用光刻机按一定曝光剂量对准晶圆曝光；曝光后进行静置显影和动态显影一段时间，去离子水清洗甩干得到膜孔。相比常规的第二层膜圆形图案曝光开孔，本申请通过设计同心圆环图案曝光显影实现了第二层膜孔壁形貌的改变。进一步的，通过设计同心圆环的相关参数实现了第二层膜孔壁陡直度的调控。

本发明授权一种负性高分子膜的圆环形图案曝光开孔方法在权利要求书中公布了：1.一种负性高分子膜的圆环形图案曝光开孔方法，其特征在于，所述方法包括依次进 行的以下步骤： S1.在制备好的晶圆上贴第一层负性高分子膜，控制贴膜工艺参数使第一层膜与晶圆贴合良好，第一层膜在晶圆边缘处切割分离；设计第一层膜光刻图案，其中晶圆内需外接 电极处设计成圆形图案，曝光显影，得到第一层膜孔并测量孔半径r，烘烤固化； S2.在晶圆上贴第二层负性高分子膜，控制贴膜工艺参数使第一层膜与第二层膜之 间贴合良好，第二层膜在晶圆边缘处切割分离； S3.在版图软件中画需求开孔半径R的圆1，R要略大于r； S4.在版图中半径为R的圆1内画半径为r的圆2，圆1和圆2之间不重合区域构成一圆环 且宽度为D2＝R-r，该圆环设置为阴影区； S5.在版图中半径为r的圆2内画半径为t的内圆3，圆2和内圆3之间不重合区域构成一 圆环且宽度为D1＝r-t，该圆环设置为空白区，内圆3设置为阴影区；从而构成了同心圆环状图案； S6.基于设计好的光罩图案，使用光刻机按一定曝光剂量对准晶圆曝光； S7.进行静置显影和动态显影一段时间，去离子水冲洗甩干，烘烤固化得到膜孔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中电科技德清华莹电子有限公司，其通讯地址为：313200 浙江省湖州市武康志远北路188号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。