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龙图腾网获悉苏州紫灿科技有限公司申请的专利一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211163065.9，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED及其制备方法是由张骏;张毅;岳金顺;陈景文设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED及其制备方法，该深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、第一载流子注入效率改善层、第二载流子注入效率改善层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层，第一载流子注入效率改善层为由若干AlaGa1‑aN层和AlbGa1‑bN层周期交替组成的非故意掺杂的超晶格结构，所述第二载流子注入改善层的生长温度低于所述量子阱有源层的最低生长温度，且为使用Mg进行p型掺杂的AlGaN结构。本发明解决了现有技术中的由于电子阻挡层的结构设计而导致的深紫外LED器件的发光效率低下的技术问题。

本发明授权一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有注入效率改善层结构的深紫外LED，其特征在于，包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、第一载流子注入效率改善层、第二载流子注入效率改善层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层； 所述第一载流子注入效率改善层为由若干AlaGa1-aN层和AlbGa1-bN层周期交替组成的非故意掺杂的超晶格结构，且所述第一载流子注入效率改善层通过AlaGa1-aN层与所述量子阱有源层势垒接触，所述第一载流子注入效率改善层通过AlbGa1-bN层与所述第二载流子注入效率改善层势阱接触，所述第二载流子注入改善层的生长温度低于所述量子阱有源层的最低生长温度，且为使用Mg进行p型掺杂的AlGaN结构； 所述第二载流子注入效率改善层为由若干AlxGa1-xN层和AlyGa1-yN层周期交替组成的超晶格结构，且所述AlxGa1-xN层与所述第一载流子注入效率改善层的AlbGa1-bN层势阱接触，所述AlyGa1-yN层与所述电子阻挡层接触； 所述AlxGa1-xN层和所述AlyGa1-yN层满足50%≤y≤x≤100%。

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