上海华力集成电路制造有限公司李萌获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利提升光学邻近效应修正处理效率的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115494694B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211164145.6,技术领域涉及:G03F1/36;该发明授权提升光学邻近效应修正处理效率的方法是由李萌设计研发完成,并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本提升光学邻近效应修正处理效率的方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种提升光学邻近效应修正处理效率的方法,提供原始版图,获取原始版图中的错误标记图形;形成覆盖每个错误标记图形的第一区域图形,第一区域图形为覆盖每个错误标记图图形的区域,第一区域图形与错误标记图形间的位置差小于或等于第一设计值;放大第一区域图形至第二设计值;形成覆盖第二区域图形的第三区域图形,第三区域图形与第二区域图形的位置差小于或等于第三设计值;为能覆盖第二图形面积最小的矩形区域;以第三区域图形作为计算区域,修改recipe至计算区域中的错误标记图形去除。本发明提升了OPC的运算速度,又能够全面准确地清除所有错误标记图形所标示的版图处问题。
本发明授权提升光学邻近效应修正处理效率的方法在权利要求书中公布了:1.一种提升光学邻近效应修正处理效率的方法,其特征在于,至少包括: 步骤一、提供原始版图,获取所述原始版图中的错误标记图形; 步骤二、形成覆盖每个所述错误标记图形的第一区域图形,所述第一区域图形的形状为矩形,所述第一区域图形为覆盖每个所述错误标记图图形的区域,所述第一区域图形与所述错误标记图形间的位置差小于或等于第一设计值; 步骤三、放大所述第一区域图形至第二设计值,用以形成由一个或多个放大后的所述第一区域图形组成的第二区域图形,所述第二区域图形的形状为矩形; 步骤四、形成覆盖所述第二区域图形的第三区域图形,所述第三区域图形的形状为矩形,所述第三区域图形与所述第二区域图形的位置差小于或等于第三设计值;所述第三区域图形为能覆盖所述第二区域图形面积最小的矩形区域; 步骤五、以所述第三区域图形作为计算区域,修改recipe至所述计算区域中的所述错误标记图形去除。
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