买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211186620.X，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置是由李栋;张慧娟;刘政设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置，包括：设置在衬底基板上的有源层，所述有源层包括沟道区；设置在所述有源层上的栅绝缘层，所述栅绝缘层界定出离子注入区，所述离子注入区包括位于中间的第一注入区以及位于所述第一注入区两侧的第二注入区，所述离子注入区在所述衬底基板上的正投影位于所述沟道区在所述衬底基板上的正投影重叠；所述第一注入区的第一上表面到所述有源层的上表面的距离小于所述第二注入区的第二上表面到所述有源层的上表面的距离。提高阈值电压的均匀性；改善薄膜晶体管的磁滞特性，提高显示效果；简化薄膜晶体管的制作工序，还可以避免对沟道区多晶硅膜层的损坏，提高有源层沟道区的膜层质量。

本发明授权一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 设置在衬底基板上的有源层，所述有源层包括沟道区； 设置在所述有源层上的栅绝缘层，所述栅绝缘层界定出离子注入区，所述离子注入区包括位于中间的第一注入区以及位于所述第一注入区两侧的第二注入区，所述离子注入区在所述衬底基板上的正投影位于所述沟道区在所述衬底基板上的正投影重叠；所述第一注入区的第一上表面到所述有源层的上表面的距离小于所述第二注入区的第二上表面到所述有源层的上表面的距离； 当所述沟道区T的形状为方形结构，在沿所述沟道区宽度方向上，所述沟道区包括位于中间的高掺杂区和位于所述高掺杂区两侧的低掺杂区； 当所述沟道区T的形状为“几”字形，在沿所述沟道区宽度方向上，所述沟道区T包括位于中间的高掺杂区和位于所述高掺杂区两侧的低掺杂区，所述高掺杂区和所述低掺杂区的形状与所述沟道的形状相似，均为“几”字形； 当所述沟道区T的形成为U形，所述沟道区T的宽度W方向沿U型线延伸，所述沟道区T包括位于中间的高掺杂区T1和位于所述高掺杂区T1两侧的低掺杂区T2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方科技集团股份有限公司，其通讯地址为：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。