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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种修复外延层缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211244493.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种修复外延层缺陷的方法是由旷明胜;郑洪仿;于倩倩设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种修复外延层缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种修复外延层缺陷的方法，涉及半导体外延技术领域，包括以下步骤：在带缺陷的外延层上沉积第一金属薄层；退火处理，使第一金属薄层中的金属颗粒在外延层的缺陷处形成金属团聚物，并使第一金属薄层保持对外延层的非缺陷区域的覆盖形成缓冲层；等离子体轰击，使金属团聚物的金属颗粒与缺陷处紧密嵌合成一体，并且通过缓冲层将轰击能量间接传递到外延层的表面，使外延层的表面粗糙化；金属团聚物和缓冲层被等离子体轰击后在外延层的表面成型有第二金属薄层；采用化学药液去除外延层表面的所述第二金属薄层。本发明的方法通过修复外延层表面的缺陷，能有效地改善LED芯片的欧姆接触，提高芯片的出光效率，增强芯片的亮度性能。

本发明授权一种修复外延层缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种修复外延层缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在带缺陷的外延层上沉积第一金属薄层； S2：对沉积完第一金属薄层的所述外延层进行退火处理，使所述第一金属薄层中的金属颗粒在所述外延层的缺陷处形成金属团聚物，并使所述第一金属薄层保持对所述外延层的非缺陷区域的覆盖形成缓冲层； S3：对所述金属团聚物和所述缓冲层进行等离子体轰击，使所述金属团聚物的金属颗粒与所述外延层的缺陷处紧密嵌合成一体，并且通过所述缓冲层将轰击能量间接传递到所述外延层的表面，使所述外延层的表面粗糙化；所述金属团聚物和所述缓冲层被所述等离子体轰击后在所述外延层的表面成型有第二金属薄层； S4：将经过等离子体轰击处理后的所述外延层采用50～60℃的ITO刻蚀液浸泡5～10s后立刻取出冲水5min以上，去除所述外延层的表面上的所述第二金属薄层；所述冲水的过程包括：先用超纯水直接冲洗所述外延层的表面，再将所述外延层浸入流动的超纯水中冲洗。

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