瑞砻科技股份有限公司何焱腾获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞砻科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211268678.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体元件及其制造方法是由何焱腾;陈乃榕设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明是一种半导体元件，包含有一二维半导体层、一二维金属导体层以及一金属层，二维半导体层是由二维半导体材料所形成，二维半导体材料具有一第一生成热formationenergy；二维金属导体层是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半导体层的表面，二维金属材料具有一第二生成热，第二生成热小于第一生成热；金属层是覆盖于二维金属导体层的表面；其中，二维金属导体层是由金属层中的阳离子与二维半导体层中的阴离子键结而成。借此，可有效降低二维材料与金属间的接触电阻，使二维材料能成功应用在场效晶体管等半导体元件上。
本发明授权半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含有： 一二维半导体层，是由二维半导体材料所形成，该二维半导体材料具有一第一生成热formationenergy； 一二维金属导体层，是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半导体层的表面，该二维金属材料具有一第二生成热，该第二生成热小于第一生成热；以及 一金属层，是覆盖于该二维金属导体层的表面； 其中，该二维金属导体层是由该金属层中的阳离子与该二维半导体层中的阴离子键结而成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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