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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利准垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211346616.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权准垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备是由吴龙江设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本准垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：一种准垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，通过包括左右对称的上臂结构和下臂结构；左右对称的切面为矢状面，上臂结构和所述下臂结构均包括第一外延层、第二外延层、沟道层、有源层、栅极结构、隔离柱、第一金属柱、第一绝缘柱、第二金属柱和第二绝缘柱；隔离柱侧面与矢状面重叠且从有源层的上表面贯穿至第一外延层的下表面；隔离柱、第一金属柱、第一绝缘柱、第二金属柱和第二绝缘柱依次排列；第一金属柱、第一绝缘柱、第二金属柱和第二绝缘柱均从有源层的上表面贯穿至第二外延层；第一金属柱的深度大于第二金属柱的深度；故在满足了上臂器件高耐压的同时，减小了下臂器件的导通电阻。

本发明授权准垂直型功率器件的结构、制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种准垂直型功率器件的结构，其特征在于，包括左右对称的上臂结构和下臂结构；其中，左右对称的切面为矢状面，所述上臂结构和所述下臂结构均包括： 自下而上依次设置的第一外延层、第二外延层、沟道层以及有源层； 从所述有源层的上表面纵向向下穿过所述有源层和所述沟道层的栅极结构； 侧面与所述矢状面重叠且从所述有源层的上表面贯穿至所述第一外延层的下表面的隔离柱； 所述上臂结构和所述下臂结构均还包括第一金属柱、第一绝缘柱、第二金属柱和第二绝缘柱； 其中，所述隔离柱、所述第一金属柱、所述第一绝缘柱、所述第二金属柱和所述第二绝缘柱依次排列； 所述第一金属柱、所述第一绝缘柱、所述第二金属柱和所述第二绝缘柱均从所述有源层的上表面贯穿至所述第二外延层； 所述第一金属柱的深度大于所述第二金属柱的深度； 所述上臂结构和所述下臂结构均以所述有源层作为源极； 所述上臂结构以所述第一金属柱作为漏极电极，所述下臂结构以所述第二金属柱作为漏极电极。

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