中北大学刘磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种反自放电的电致变色储能器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115657389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211419430.8，技术领域涉及：G02F1/153；该发明授权一种反自放电的电致变色储能器件是由刘磊;王敏敏;甄明硕;李晨;范向前;王立勇;王慧奇;胡胜亮设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反自放电的电致变色储能器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种反自放电的电致变色储能器件，由透明导电玻璃基底层以及自下而上位于所述透明导电玻璃基底层之上的离子储存层、第一纳米功能层、离子电解质层、第二纳米功能层、电致变色层和顶透明导电层组成。本发明电致变色储能器件在离子电解质层两侧引入纳米功能层修饰电极电解质界面，能有效抑制离子的自扩散过程，实现器件的低自放电过程。本发明电致变色储能器件在智能窗、智能电子产品和微能量收集存储等领域具有广泛的应用前景。
本发明授权一种反自放电的电致变色储能器件在权利要求书中公布了：1.一种反自放电的电致变色储能器件，包括透明导电玻璃基底层，以及自下而上位于所述透明导电玻璃基底层之上的离子储存层、离子电解质层、电致变色层和顶透明导电层，其特征是还包括设置在离子储存层与离子电解质层之间的第一纳米功能层，以及设置在离子电解质层与电致变色层之间的第二纳米功能层，所述离子储存层材料为MnO2纳米片薄膜，用于构成所述第一纳米功能层和第二纳米功能层的材料是Ta2O5、ZrO2或Si3N4薄膜中的一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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