华东光电集成器件研究所陈博获国家专利权
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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116295542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211515863.3，技术领域涉及：G01D5/16；该发明授权一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法是由陈博;孙涛;何凯旋;王文婧;王鹏;陈璞设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤S1在P型硅晶圆上，进行光刻、大剂量磷注入、去胶，形成重掺杂区；S2光刻、按设计要求进行磷注入、去胶，形成压敏电阻；S3光刻、硼注入、去胶，形成P型隔离环结构6；S4退火、氧化，形成绝缘层；S5光刻、刻蚀、去胶，在绝缘层上形成接触孔；S6溅射、光刻、刻蚀、去胶，形成金属引线。本发明步骤简单，实施方便，通过隔离环有效阻断N型压阻传感器与其他功能端口之间电子迁移通道，降低漏电流，提高产品性能和可靠性。
本发明授权一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高N型压阻传感器结隔离特性的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤S1、选用P型硅晶圆作为芯片衬底，在P型硅晶圆上，进行光刻形成图形化、而后将磷注入、再去胶从形成重掺杂区，成为N+注入区； S2、在N+注入区之间P型硅晶圆上的光刻形成图形化、而后进而二次磷注入、去胶，在两个N+注入区之间形成N-压敏电阻； S3、N+注入区外侧的P型硅晶圆上的光刻形成图形化、而后进行硼注入、去胶，所有N+注入区外侧形成一个P型隔离环结构6； S4通过退火、氧化或CVD生长，在衬底晶圆上形成绝缘层； S5通过光刻、刻蚀、去胶，在绝缘层上形成与N+注入区连通的接触孔； S6通过溅射、光刻、刻蚀、去胶，在接触孔内形成与N+注入区连通的金属引线。
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