北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所郑涛获国家专利权
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龙图腾网获悉北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种低开销抗辐射存储单元版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116249341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310175378.4，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权一种低开销抗辐射存储单元版图结构是由郑涛;任荣康;李建成;陆时进;刘琳;赵佳;黄新壮;刘晨静;刘劭璠;刘佳林设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低开销抗辐射存储单元版图结构在说明书摘要公布了：一种低开销抗辐射存储单元版图结构，由两块半边基本单元版图模块拼接组成；每个半边基本单元版图模块中：第一P阱位于第一传输管和下拉管版图结构的一侧；第一传输管和下拉管版图结构的另一侧与第一上拉管版图结构紧贴；N阱位于第一上拉管版图结构和第二上拉管版图结构中间；第二P阱位于第二传输管和下拉管版图结构的一侧；第二传输管和下拉管版图结构的另一侧与第二上拉管版图结构紧贴；两个第一上拉管版图结构连接，两个第一传输管和下拉管版图结构连接；两个第二上拉管版图结构连接；两个第二传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块位置紧贴。本发明减少了版图面积消耗，增强抗辐射性能的效果。
本发明授权一种低开销抗辐射存储单元版图结构在权利要求书中公布了：1.一种低开销抗辐射存储单元版图结构，其特征在于，由两块半边基本单元版图模块拼接组成； 每个半边基本单元版图模块包括：第一上拉管版图结构、第二上拉管版图结构、第一传输管和下拉管版图结构、第二传输管和下拉管版图结构、第一P阱、N阱、第二P阱；所述第一P阱位于第一传输管和下拉管版图结构的一侧；第一传输管和下拉管版图结构的另一侧与第一上拉管版图结构紧贴；所述N阱位于第一上拉管版图结构和第二上拉管版图结构中间；所述第二P阱位于第二传输管和下拉管版图结构的一侧；第二传输管和下拉管版图结构的另一侧与第二上拉管版图结构紧贴； 两块半边基本单元版图模块的两个第一上拉管版图结构连接，两块半边基本单元版图模块的两个第一传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块的两个第二上拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块的两个第二传输管和下拉管版图结构连接；两块半边基本单元版图模块位置紧贴。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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