中国电子科技集团公司第十三研究所陈然获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116232350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310175294.0，技术领域涉及：H04B1/04；该发明授权一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法是由陈然;刘帅;赵瑞华;戴剑;崔亮;梁廷敬;宋学峰;王凯;陈南庭;王海龙;杨琦;成立鑫;王晟;王飞设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括：收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间，漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串联电感。串联电感和第一GaN功率开关管的等效电容用于实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配，其中，等效电容是第一GaN功率开关管在截止状态时的等效电容。本发明能够将串联电感、GaN功率开关管的等效电容构成LC阻抗匹配电路，实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配。既避免了GaN功率开关管对GaN功率放大器的输出阻抗匹配的影响，又减少了器件数量、减小了GaN射频前端电路的体积。
本发明授权一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN射频前端电路，其特征在于，包括：收发端口、发射支路和接收支路； 收发端口连接发射支路的输出端和接收支路的输入端，其中，所述收发端口还用于连接收发天线； 发射支路包括GaN功率放大器和第一GaN功率开关管； 发射支路的输出端连接GaN功率放大器的输出端； 第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间，漏极接地； 在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间还设有第一串联电感； 第一串联电感和第一GaN功率开关管的等效电容用于构成LC阻抗匹配电路，实现GaN功率放大器的输出端的阻抗匹配，其中，所述等效电容是第一GaN功率开关管在截止状态时的等效电容。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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