清华大学冯翰祺获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利基于受激放大相干辐射的多频多端口太赫兹源产生方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116345271B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310370060.1，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权基于受激放大相干辐射的多频多端口太赫兹源产生方法是由冯翰祺;刘仿;黄翊东;冯雪;张巍;崔开宇设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于受激放大相干辐射的多频多端口太赫兹源产生方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于受激放大相干辐射的多频多端口太赫兹源产生方法，包括：获取电子发射源发射的自由电子，将自由电子加速至设定速度；加速后的自由电子在外界泵浦源的作用下进行初步群聚，形成初级电子团；将初级电子团与群聚光栅相互作用产生相干电磁辐射实现电子群聚；基于相干电磁辐射在谐振腔结构中与辐射光栅形成受激放大的相干电磁辐射，增强电子群聚，缩小电子团尺寸，获得高密度的周期性群聚电子团；周期性群聚电子团与辐射光栅作用产生高阶倍频的相干电磁辐射信号，高阶倍频相干辐射从端口输出，末端窗口含金刚石窗片，输出波导与谐振腔连接。本发明解决现有室温工作的小型太赫兹电子器件频率难以提升、辐射线宽无法有效压缩的问题。
本发明授权基于受激放大相干辐射的多频多端口太赫兹源产生方法在权利要求书中公布了：1.一种基于受激放大相干辐射的多频多端口太赫兹源产生装置，其特征在于，包括： 电子发射源、谐振腔、泵浦源、群聚光栅和辐射光栅； 所述谐振腔为无氧铜管，所述电子发射源安装在谐振腔的端部，向谐振腔内发射自由电子； 所述泵浦源设置在谐振腔的外侧面，通过泵浦源向谐振腔内发射泵浦信号； 所述群聚光栅设置在谐振腔靠近电子发射源的内部边缘，所述辐射光栅设置在谐振腔内远离电子发射源一端的内部边缘； 在所述谐振腔的一圈均设置有磁环，所述磁环环绕在谐振腔无氧铜管的周围，通过所述磁环产生的磁场对电子束进行聚焦； 在无氧铜管的圆柱体外包裹周期性的极靴结构，通过极靴结构组装电子束聚焦的周期性磁环，通过多个周期性磁环组成周期性永磁聚焦系统，磁环沿着轴向磁化相斥的方式排列，磁环中心的磁感应强度沿电子飞行方向呈现正弦分布曲线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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