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龙图腾网获悉西北核技术研究所申请的专利一种高压环境下的TDLAS测量信号谱线参数获取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116519629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310474542.1，技术领域涉及：G01N21/39；该发明授权一种高压环境下的TDLAS测量信号谱线参数获取方法是由吴昊龙;王晟;王亚民;陶蒙蒙;李国华;叶景峰;吴振杰;王立君设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压环境下的TDLAS测量信号谱线参数获取方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种可调谐半导体激光吸收光谱TDLAS方法，具体涉及一种高压环境下的TDLAS测量信号谱线参数获取方法，解决现有TDLAS技术在高压环境下存在去基线困难、谱线参数计算误差较大的技术问题。该高压环境下的TDLAS测量信号谱线参数获取方法，包括以下步骤：步骤1获得TDLAS测量信号Iexpvx；步骤2构造整体拟合模型；步骤3确定整体拟合模型中可变参数的初值与限制区间；步骤4根据可变参数的初值与限制区间，优化整体拟合模型中的可变参数，反演得到整体拟合模型与TDLAS测量信号Iexpvx最佳匹配下的谱线参数；有效回避原始信号复杂的去基线过程，提高TDLAS技术在高压环境下的适用性，显著降低了谱线参数的计算误差。

本发明授权一种高压环境下的TDLAS测量信号谱线参数获取方法在权利要求书中公布了：1.一种高压环境下的TDLAS测量信号谱线参数获取方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1使用线性电流驱动DFB激光器，获得光强随时间线性变化的输出光束，同时控制DFB激光器的温度使输出光束的波长调谐范围覆盖任一条谱线，输出光束传输通过待测环境中的吸收介质后，获得TDLAS测量信号Iexpvx； 步骤2构造包含入射光强I0vx、谱线吸收系数αvx和吸收路径长度L共同作用的整体拟合模型： 其中，Ivx为出射光强，k3、k2、k1、k0为入射光强I0vx的三次多项式拟合系数，A为谱线近似线型Lorentz函数对应的面积，Δv为谱线近似线型Lorentz函数对应的线宽，v0为谱线近似线型Lorentz函数中心对应的采样点坐标，vx为单周期TDLAS测量信号Iexpvx采样点横坐标，x表示采样点的序号，0表示谱线近似线型Lorentz函数中心； 步骤3根据待测环境和TDLAS测量信号Iexpvx，确定整体拟合模型中可变参数的初值与限制区间；所述可变参数具体包括入射光强I0vx的三次多项式拟合系数k3、k2、k1、k0与谱线近似线型Lorentz函数的面积A、线宽Δv、中心v0； 3.1利用基线拟合法预处理TDLAS测量信号Iexpvx，得到入射光强I0vx的三次多项式拟合系数k3、k2、k1、k0的初值； 3.2通过计算lnI0vxIexpvx得到谱线线型分布将谱线线型分布对横坐标的积分作为面积A的初值，将谱线线型分布的半高全宽作为线宽Δv的初值，将谱线线型分布的峰值对应的横坐标作为中心v0的初值； 3.3将拟合系数k3、k2、k1、k0的初值与面积A的初值、线宽Δv的初值、中心v0的初值作为参考，结合待测环境变化的动态范围设置拟合系数k3、k2、k1、k0、面积A、线宽Δv及中心v0的限制区间；待测环境变化的动态范围包括温度、压强与待测组分的浓度； 步骤4根据可变参数的初值与限制区间，采用非线性曲线拟合TDLAS测量信号Iexpvx，以均方误差MSE最小为目标，优化整体拟合模型中的可变参数，反演得到整体拟合模型与TDLAS测量信号Iexpvx最佳匹配下的谱线参数： 4.1根据拟合系数k3、k2、k1、k0与面积A、线宽Δv、中心v0的初值与限制区间，采用Levenberg-Marquardt算法拟合TDLAS测量信号Iexpvx； 4.2以均方误差MSE最小为目标，迭代优化整体拟合模型中的入射光强I0vx的三次多项式拟合系数k3、k2、k1、k0与面积A、线宽Δv、中心v0，通过下式反演得到整体拟合模型与TDLAS测量信号Iexpvx最佳匹配下的面积A、线宽Δv、中心v0： 其中，n为单周期TDLAS测量信号Iexpvx的采样点数。

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