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龙图腾网获悉中国科学院高能物理研究所申请的专利一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命高效测量系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116519726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310726518.2，技术领域涉及：G01N23/225；该发明授权一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命高效测量系统及方法是由张红强;刘福雁;况鹏;张鹏;王英杰;章志明;于啸天;曹兴忠;王宝义;魏龙设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命高效测量系统及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命高效测量系统及方法，由正电子发射器、探测器阵列、被测薄膜样品组成；放射源放置于正电子发射器内，所述被测薄膜样品设置在正电子发射器和探测器阵列中的正电子探测器之间。本发明适用于强源环境，可对正电子湮没事例进行全方位探测，充分排除非样品中的正电子湮没事例，实现对薄膜样品正电子湮没寿命的高效测量。

本发明授权一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命高效测量系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命高效测量系统，其特征在于：由正电子发射器、探测器阵列、被测薄膜样品组成；探测器阵列由正电子探测器和多个伽马探测器组成；放射源放置于正电子发射器内，所述被测薄膜样品设置在正电子发射器和探测器阵列中的正电子探测器之间；测量时，测量系统采用强源，提高探测器阵列的计数率；设置多个伽马探测器，实现有效探测立体角的最大化，对正电子湮没事例进行全方位探测；正电子探测器对薄膜样品以外湮没的正电子进行精准识别，充分排除非样品中的正电子湮没事例，提高信噪比； 所述正电子发射器由塑料闪烁片、快响应的光电转换器以及放射源组成；放射源放置于塑料闪烁片与光电转换器之间；正电子进入塑料闪烁片中沉积能量时，将产生荧光光子，通过光电转换器将荧光转化为电信号输出至后端电路进行进一步处理；所述塑料闪烁片上表面和侧面设置一层反光层，既可以将荧光光子充分传递至光电转换器，又具有遮光功能，防止外界可见光对正电子发射器正常工作产生干扰；所述塑料闪烁片的厚度取决于所选用放射源的正电子能量分布，其厚度使正电子在塑料闪烁片中沉积足够的能量，相应产生足够多的荧光光子，使探测器信号幅度高于电子学噪声，增加有效计数率；同时，塑料闪烁片的厚度保证尽可能多的正电子穿过闪烁片； 所述探测器阵列由正电子探测器和多个伽马探测器组成；在结构上，正电子探测器位于探测器阵列的中心，多个伽马探测器呈阵列形式环绕中心正电子探测器放置； 所述正电子探测器由塑料闪烁片耦合快响应的光电转换器组成，负责探测穿透薄膜样品的正电子；所述塑料闪烁片的厚度取决于所选用放射源的正电子能量分布，其厚度保证正电子在塑料闪烁片中沉积足够的能量，相应产生足够多的荧光光子，使探测器信号幅度高于电子学噪声，满足入射正电子的完全探测，从而实现非样品中湮没事例的完全排除；同时，闪烁片厚度使得伽马光子的探测效率尽可能小，减少正电子湮没事例的错误排除；所述塑料闪烁片上表面和侧面设置一层反光层，既可以将荧光光子充分传递至光电转换器，又具有遮光功能，防止外界可见光对正电子探测器正常工作产生干扰； 所述伽马探测器均由具有高时间分辨的闪烁体和与之耦合的快响应光电转换器组成，负责充分探测正电子湮没后产生的伽马光子，实现对正电子湮没事例的充分探测；所述闪烁体包括BaF2，LaBr3或LYSO；所述光电转换器包括硅光电倍增管；所述伽马探测器外表面采用避光结构材料进行封装，避免外界可见光对探测器正常工作的干扰。

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