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龙图腾网获悉中国科学院新疆理化技术研究所申请的专利快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117368678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311271354.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法是由李豫东;冯皓楠;冯婕;蒲晓娟;魏莹;孙静;梁晓雯;张丹;余学峰;郭旗设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法。该方法涉及的装置由鼓风干燥箱、样品测试版、转接座、导通测试模块和计算机组成，在辐照过程中通过远程控制器对鼓风干燥箱的温度进行控制，利用计算机中的测试软件，设定的电压测试，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管导通特性数据，再经过优化拟合为随温度变化的导通特性曲线；再将鼓风干燥箱、样品测试版放在钴60伽马射线辐照室内，得到高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性曲线，对辐照前后测试得到的晶体管导通特性曲线进行比对，快速判断是否会对器件的导通性能产生严重影响。本发明可快速准确地鉴别碳化硅功率晶体管在高温辐照环境下的导通损伤程度，为相关领域的工程师和研究人员提供重要的参考信息。

本发明授权快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法在权利要求书中公布了：1.一种快速鉴别高温辐照环境下碳化硅功率晶体管导通特性的方法，其特征在于，该方法涉及的装置是由鼓风干燥箱、样品测试版、转接座、导通测试模块和计算机组成，在鼓风干燥箱（1）内放置样品测试板（2），在样品测试板（2）上放置碳化硅垂直双扩散型晶体管样品（3），样品测试板（2）导通测试模块（4）相连，导通测试模块（4）与计算机（5）通过USB数据线连接，具体操作按下列步骤进行： a、保持鼓风干燥箱（1）内环境温度为25℃、100℃、150℃、175℃恒定，将样品测试板（2）上放置碳化硅垂直双扩散型晶体管样品（3）并置于鼓风干燥箱（1）内10分钟，使其裸片温度和湿度与设定环境保持一致； b、对鼓风干燥箱（1）内的碳化硅垂直双扩散型晶体管样品（3）进行参数测试，将样品测试板（2）通过信号传输线与导通测试模块（4）相连，设置导通测试模块（4）的扫描电压，开始进行导通特性测试，通过计算机（5）对导通特性数据的收集； c、对鼓风干燥箱（1）内的环境温度进行阶梯性递增设定，每次增加的温度幅度为25℃，并在设定后保持10分钟静置，使其温度和湿度与设定环境保持一致； d、将鼓风干燥箱（1）置于辐照环境中，在每个温度节点进行辐照试验，辐照过程中保持温度恒定，并在辐照前后进行参数测试； e、将步骤d得到的辐照前的四种温度为25℃、100℃、150℃、175℃的导通电阻数据经过优化拟合成为随温度变化的导通电阻曲线； f、将步骤d得到的辐照后的四种温度为25℃、100℃、150℃、175℃的导通电阻数据经过优化拟合成为随温度、累积剂量变化的导通电阻曲线； g、对辐照前后测试得到的晶体管导通电阻曲线进行比对，通过对比分析随温度变化的导通电阻变化趋势和随温度、累积剂量变化的导通电阻变化趋势，判断导通特性损伤程度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院新疆理化技术研究所，其通讯地址为：830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。