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龙图腾网获悉清纯半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118116975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410406036.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体功率器件及其制备方法是由翟海龙;史文华;温家平设计研发完成，并于2024-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体功率器件及其制备方法，半导体功率器件包括：位于漂移层中保护单元，包括：第一外延保护层，包围栅极结构的侧壁和底面；以及第二掺杂保护层，位于第一外延保护层朝向半导体衬底层的一侧且与第一外延保护层接触，第二掺杂保护层的导电类型和第一外延保护层的导电类型相反，第二掺杂保护层和第一外延保护层构成PN结；沟道区，位于栅极结构的侧壁的第一外延保护层中。改善半导体功率器件在反向阻断状态下栅极结构的底部区域电场集中以及对沟道区的掺杂浓度和长度进行单独调控，正向导通时，沟槽侧壁的第一外延保护层能起到电流扩展的作用。

本发明授权半导体功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括： 半导体衬底层； 位于所述半导体衬底层一侧的漂移层； 位于所述漂移层中的栅极结构； 位于所述漂移层中保护单元；所述保护单元包括：第一外延保护层，包围所述栅极结构的侧壁和底面，所述第一外延保护层的导电类型和所述漂移层的导电类型相同，所述第一外延保护层的掺杂浓度大于所述漂移层的掺杂浓度；以及第二掺杂保护层，位于所述第一外延保护层朝向所述半导体衬底层的一侧且与所述第一外延保护层接触，所述第二掺杂保护层的导电类型和所述第一外延保护层的导电类型相反，所述第二掺杂保护层和所述第一外延保护层构成PN结； 沟道区，位于所述栅极结构的侧壁的所述第一外延保护层中； 还包括：第一源区，分别位于所述栅极结构在宽度方向两侧的所述漂移层中，所述第一源区的导电类型和所述漂移层的导电类型相反；所述第一源区朝向所述半导体衬底层一侧的表面相对于所述第二掺杂保护层背离所述半导体衬底层一侧的表面远离所述半导体衬底层；所述第一源区朝向所述半导体衬底层一侧的表面至所述第二掺杂保护层背离所述半导体衬底层一侧的表面的纵向距离为0.1微米~1.5微米。

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