买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种关于IGBT的全区域退化表征方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118858872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411020916.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种关于IGBT的全区域退化表征方法是由刘斯扬;黄磊;曹钧厚;王晨露;吴团庄;魏家行;孙伟锋;时龙兴设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种关于IGBT的全区域退化表征方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种关于IGBT的全区域退化表征方法，在IGBT集电极和发射极之间施加从0V逐步增大的负压，在每一个Vce下对IGBT的栅极进行电压扫描并且叠加小信号，栅压扫描范围为Vg1～Vg2。在每一个Vce下，测试Vg1～Vg2下的栅电容Cg，绘制Cg‑Vg曲线并分区。以相同的电压施加方式对退化后的器件再次测试Vg1～Vg2的栅电容Cg值，绘制Cg‑Vg曲线并且以同样的方式分区。对比退化前后曲线不同区域的漂移情况，表征IGBT功率器件全区域的退化情况、损伤程度。本方法可以简单快速地提取IGBT功率器件栅氧层和外延层的退化情况，为IGBT功率器件可靠性的分析提供快速的判定依据。

本发明授权一种关于IGBT的全区域退化表征方法在权利要求书中公布了：1.一种关于IGBT的全区域退化表征方法，其特征在于，执行如下步骤S1-步骤S6，表征待测IGBT器件全区域的退化情况、损伤程度： 步骤S1：搭建测试电路，针对待测IGBT器件，用电压源向待测IGBT器件的集电极和发射极之间施加由0V逐步增大的偏置电压，对待测IGBT器件的栅极进行电压扫描并且叠加交流小信号； 电压施加方式为：在待测IGBT器件的栅极连接一个直流电压源和交流小信号，交流小信号叠加在直流电源上，对栅极进行电压扫描，栅压扫描范围要使栅氧下方结型场效应区历经积累，耗尽，反型三种状态，以及使栅氧下方沟道区历经积累，耗尽，反型三种状态，在栅压扫描时保持集电极和发射极之间偏置电压恒定； 步骤S2：提取待测IGBT器件的栅极电压扫描过程中每个栅极电压Vg下的栅极电容Cg，绘制栅极电容随栅极电压变化曲线Cg-Vg； 步骤S3：将待测IGBT器件的集电极和发射极之间施加的偏置电压值由0V向负压方向逐渐增大，以与步骤S1相同的电压施加方式对栅极进行电压扫描并且叠加交流小信号； 步骤S4：重复步骤S2； 步骤S5：待测IGBT器件发生由应力引入的退化后，重复步骤S1-步骤S4，再次绘制栅极电容随栅极电压变化曲线Cg-Vg； 步骤S6：根据栅极电容Cg的变化，将栅极电容随栅极电压变化曲线Cg-Vg分区，分别表示待测IGBT器件各区域的退化情况，对比待测IGBT器件退化前后栅极电容随栅极电压变化曲线Cg-Vg的横向与纵向漂移情况，基于曲线Cg-Vg的漂移幅度分析待测IGBT器件各区域的损伤程度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东南大学，其通讯地址为：210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。