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台湾积体电路制造股份有限公司张盟昇获国家专利权

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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223297945U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421969903.6,技术领域涉及:H10D89/10;该实用新型半导体结构是由张盟昇设计研发完成,并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体结构在说明书摘要公布了:于一些实施方式中,一种半导体结构包括基材、第一晶体管、第二晶体管以及第一栅极接触。第一晶体管位于基材上方,第一晶体管属于记忆体元件的感应放大器或电源接头,第一晶体管包括通道区域、围绕通道区域的栅极结构以及位于栅极结构的相对侧的多个源极漏极区域。第二晶体管位于第一晶体管上方,第二晶体管属于记忆体单元,且包括栅极电极、位于栅极电极上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的铟镓锌氧化物层、形成在铟镓锌氧化物层的一第一侧上的第一氮化钛源极漏极电极以及形成在铟镓锌氧化物层的一第二侧上的第二氮化钛源极漏极电极。第一栅极接触位于栅极电极上方。从上视图来看,铟镓锌氧化物层包围第一栅极接触。

本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括: 一基材; 一第一晶体管,位于该基材上方,该第一晶体管属于一记忆体元件的一感应放大器或一电源接头,该第一晶体管包括一通道区域、围绕该通道区域的一栅极结构以及位于该栅极结构的相对侧的多个源极漏极区域; 一第二晶体管,位于该第一晶体管上方,该第二晶体管属于一记忆体单元,且包括: 一栅极电极; 一栅极介电层,位于该栅极电极上方; 一铟镓锌氧化物层,位于该栅极介电层上方; 一第一氮化钛源极漏极电极,形成在该铟镓锌氧化物层的一第一侧上;以及 一第二氮化钛源极漏极电极,形成在该铟镓锌氧化物层的一第二侧上;以及 一第一栅极接触,位于该栅极电极上方,其中从一上视图来看,该铟镓锌氧化物层包围该第一栅极接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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