中国科学院长春光学精密机械与物理研究所成明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利EUV光刻机光源系统中凹面镜表面钆去除装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118859644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411125478.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权EUV光刻机光源系统中凹面镜表面钆去除装置及方法是由成明;王云鹏;王飞;范翊;周芩安设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本EUV光刻机光源系统中凹面镜表面钆去除装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光学元器件加工技术领域，尤其涉及一种EUV光刻机光源系统中凹面镜表面钆去除装置及方法。装置包括：反应池的侧壁和底部分别设有注液口和排液口；凹面真空载台通过载台支架伸入反应池的内槽；凹面真空载台包括带有气孔的凹面真空吸盘和硅胶复合膜，硅胶复合膜附于所述凹面真空吸盘下方，通过气孔位置产生负压使硅胶复合膜实现凹面镜的吸附；电化学三电极体系中的工作电极通过工作电极夹固定在所述反应池的内壁底部，对电极和参比电极固定安装在反应池内部；搅动装置固定在所述反应池的侧壁；所述磁铁固定在所述反应池下方。优点在于：在保证凹面镜表面粗糙度不受影响和高反射膜层不被破坏的情况下，完成了表面杂质去除工作。
本发明授权EUV光刻机光源系统中凹面镜表面钆去除装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种EUV光刻机光源系统中凹面镜表面钆去除装置，其特征在于，包括：反应池、凹面真空载台、电化学三电极体系、搅动装置和磁铁； 所述反应池用于盛装反应液，在所述反应池的侧壁和底部分别设有注液口和排液口； 所述凹面真空载台通过载台支架伸入所述反应池的内槽；所述凹面真空载台包括带有气孔的凹面真空吸盘和硅胶复合膜，所述硅胶复合膜附于所述凹面真空吸盘下方，通过所述气孔位置产生的负压使所述硅胶复合膜与凹面镜之间形成的真空环境实现凹面镜的吸附； 所述电化学三电极体系包括工作电极、对电极和参比电极；所述工作电极通过工作电极夹固定在所述反应池的内壁底部，所述对电极和所述参比电极固定安装在所述反应池内部并与所述反应池内壁底部留有间隙； 所述搅动装置固定在所述反应池的侧壁；所述磁铁固定在所述反应池下方，用于促进钆离子附着在所述工作电极的表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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