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龙图腾网获悉上海一本芯半导体科技有限公司申请的专利功率MOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223297939U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422308813.9，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型功率MOS器件是由潘仁杰;田柏冠;郑轩志设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率MOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种功率MOS器件，其第一深沟槽、第二深沟槽和浅沟槽从P型阱区上表面延伸至N型外延层内，浅沟槽位于第一深沟槽、第二深沟槽之间，此第一深沟槽、第二深沟槽的深度大于浅沟槽的深度；所述第一深沟槽、第二深沟槽各自内壁均具有一栅氧化硅层，一第一导电多晶硅和第二导电多晶硅分别位于第一深沟槽、第二深沟槽内；在P型阱区上部且位于第一深沟槽周边具有第一N型源极区，在P型阱区上部且位于第二深沟槽周边具有第二N型源极区，浅沟槽位于第一N型源极区和第二N型源极区之间，浅沟槽内具有一金属柱体。本实用新型功率MOS器件有效降低了器件开启电压，也缩短了器件的反向恢复时间，降低了器件在高频使用状态下的功率损耗。

本实用新型功率MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种功率MOS器件，其特征在于：包括具有N型外延层（1）和N型重掺杂层（2）的硅衬底（3），所述N型重掺杂层（2）位于硅衬底（3）底部，位于N型重掺杂层（2）上方的N型外延层（1）位于硅衬底（3）的中部和上部，所述N型外延层（1）的上部具有一P型阱区（4）； 一第一深沟槽（51）、第二深沟槽（52）和浅沟槽（6）从P型阱区（4）上表面延伸至N型外延层（1）内，所述浅沟槽（6）位于第一深沟槽（51）、第二深沟槽（52）之间，此第一深沟槽（51）、第二深沟槽（52）的深度大于浅沟槽（6）的深度；所述第一深沟槽（51）、第二深沟槽（52）各自内壁均具有一栅氧化硅层（7），一第一导电多晶硅（81）和第二导电多晶硅（82）分别位于第一深沟槽（51）、第二深沟槽（52）内； 在所述P型阱区（4）上部且位于第一深沟槽（51）周边具有第一N型源极区（91），在所述P型阱区（4）上部且位于第二深沟槽（52）周边具有第二N型源极区（92），所述浅沟槽（6）位于第一N型源极区（91）和第二N型源极区（92）之间，所述浅沟槽（6）内具有一金属柱体（10）； 一第一绝缘介质层（111）、第二绝缘介质层（112）分别覆盖于第一导电多晶硅（81）和第二导电多晶硅（82）上，一上金属电极层（12）位于所述第一绝缘介质层（111）、第二绝缘介质层（112）、第一N型源极区（91）、第二N型源极区（92）和金属柱体（10）上，所述N型重掺杂层（2）与N型外延层（1）相背的表面具有一下金属电极层（13）。

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