买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海一本芯半导体科技有限公司申请的专利半导体场效应管器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223297938U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422306515.6，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型半导体场效应管器件是由潘仁杰;田柏冠;郑轩志设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体场效应管器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种半导体场效应管器件，P型阱区、N型外延层和N型重掺杂层上具有2个间隔设置的单胞；单胞进一步包括从P型阱区上表面延伸至N型外延层内的第一沟槽、第二沟槽和浅沟槽，所述浅沟槽位于第一沟槽、第二沟槽之间，此第一沟槽、第二沟槽的深度大于浅沟槽的深度；位于相邻所述单胞的N型外延层之间具有一深沟槽，此深沟槽从N型外延层表面延伸至下部，所述深沟槽的底端位于第一沟槽、第二沟槽各自底端的下方，此深沟槽内填充有一绝缘介质层部。本实用新型半导体场效应管器件有效降低了器件开启电压，缩短了器件的反向恢复时间，降低功率损耗同时也提高了器件整体的可靠性。

本实用新型半导体场效应管器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体场效应管器件，其特征在于：包括具有N型外延层（1）和N型重掺杂层（2）的硅衬底（3），所述N型重掺杂层（2）位于硅衬底（3）底部，位于N型重掺杂层（2）上方的N型外延层（1）位于硅衬底（3）的中部和上部，所述N型外延层（1）的上部具有一P型阱区（4），所述P型阱区（4）、N型外延层（1）和N型重掺杂层（2）上具有2个间隔设置的单胞（14）； 所述单胞（14）进一步包括从P型阱区（4）上表面延伸至N型外延层（1）内的第一沟槽（51）、第二沟槽（52）和浅沟槽（6），所述浅沟槽（6）位于第一沟槽（51）、第二沟槽（52）之间，此第一沟槽（51）、第二沟槽（52）的深度大于浅沟槽（6）的深度；所述第一沟槽（51）、第二沟槽（52）各自内壁均具有一栅氧化硅层（7），一第一导电多晶硅（81）和第二导电多晶硅（82）分别位于第一沟槽（51）、第二沟槽（52）内；在所述P型阱区（4）上部且位于第一沟槽（51）周边具有第一N型源极区（91），在所述P型阱区（4）上部且位于第二沟槽（52）周边具有第二N型源极区（92），所述浅沟槽（6）位于第一N型源极区（91）和第二N型源极区（92）之间，所述浅沟槽（6）内具有一金属柱体（10）；一第一绝缘介质层（111）、第二绝缘介质层（112）分别覆盖于第一导电多晶硅（81）和第二导电多晶硅（82）上； 位于相邻所述单胞（14）的N型外延层（1）之间具有一深沟槽（15），此深沟槽（15）从N型外延层（1）表面延伸至下部，所述深沟槽（15）的底端位于第一沟槽（51）、第二沟槽（52）各自底端的下方，此深沟槽（15）内填充有一绝缘介质层部（16）；一上金属电极层（12）位于所述第一绝缘介质层（111）、第二绝缘介质层（112）、第一N型源极区（91）、第二N型源极区（92）和金属柱体（10）上，所述N型重掺杂层（2）与N型外延层（1）相背的表面具有一下金属电极层（13）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海一本芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：201199 上海市闵行区庙泾路66号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。